據(jù)中國臺灣媒體《工商時報》報道，華邦電董事會于8月3日核準(zhǔn)17.3億元新臺幣資本支出預(yù)算案，將用在高雄廠擴(kuò)建上，8月起陸續(xù)投資。

據(jù)華邦電經(jīng)營層在第一季法說會上表示，預(yù)估2023年資本支出為121億元新臺幣，年減70.34％，大部分用于高雄廠建廠及提升制程品質(zhì)、新制程研發(fā)等支出。

華邦電規(guī)劃，高雄路竹廠20nm產(chǎn)品可望于2023年第四季量產(chǎn)，預(yù)期2023年底到2024年第一季時，高雄廠月產(chǎn)能可達(dá)1.4萬片。

法人指出，華邦電高雄廠全部是25Snm，主要產(chǎn)品為DDR3 2G和DDR3 4G。新制程DRAM 20nm和Nor Flash 45nm，近期開始投產(chǎn)，并交給客戶測試。新產(chǎn)品從投片、驗證至營收貢獻(xiàn)，估計要4～6個月。

今年5月初，華邦電總經(jīng)理陳沛銘曾表示，PC廠調(diào)整庫存已經(jīng)到達(dá)健康水平情況，許多商用PC及消費電子回補(bǔ)庫存的急單涌入。預(yù)期華邦電的營運在2023年的第一季達(dá)到谷底，第二季營運將有機(jī)會調(diào)升。因此，公司臺中廠第二季產(chǎn)能利用率將較第一季提升10個百分點，之后維持每季成長的趨勢。

華邦電子透露，消費電子、電視、物聯(lián)網(wǎng)等三大應(yīng)用客戶需求回溫，工控相關(guān)接單也持續(xù)發(fā)燙，客戶急單涌入，而且“量也不少”，將對公司營收有所助力。

當(dāng)前整體存儲器市場仍處于待復(fù)蘇階段。據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢7月最新研究顯示，預(yù)估第三季整體NAND Flash均價持續(xù)下跌約3~8%，第四季有望止跌回升；預(yù)期第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)