5月12日，三星電子宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link™（CXL™）2.0的128GB DRAM。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾®至強®平臺上取得了進展。

圖片來源：三星半導體

繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內(nèi)存擴展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬。

據(jù)三星介紹，CXL 2.0是三星有史以來第一個支持內(nèi)存池（Pooling）的產(chǎn)品。內(nèi)存池是一種內(nèi)存管理技術(shù)，它將服務(wù)器平臺上的多個CXL內(nèi)存塊綁定在一起，形成一個內(nèi)存池，使多個主機能夠根據(jù)需要從池中動態(tài)分配內(nèi)存。這項新技術(shù)使客戶盡可能的降本增效，從而幫助企業(yè)將有限的資源重新投資于增強服務(wù)器內(nèi)存中去。

三星電子透露稱，計劃于今年年底之前開始量產(chǎn)這一最新的CXL 2.0 DRAM，并準備推出多種容量的產(chǎn)品，以滿足快速變化的下一代計算市場，進一步加速擴大CXL生態(tài)系統(tǒng)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)