近日，據(jù)外媒報道，鎧俠和西部數(shù)據(jù)計劃在2023年6月舉行的VLSI技術(shù)和電路研討會上展示3D NAND技術(shù)創(chuàng)新。

報道稱，兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn)8平面的3D NAND，以及超過300層的3D NAND。

而鎧俠在即將發(fā)表的C2-1論文種介紹了一種8平面的1Tb 3D TLC NAND，擁有210層的堆疊數(shù)和3.2GT/s的I/O傳速。

這與鎧俠/西數(shù)推出的218層1Tb 3D TLC NAND非常相似，具備17Gb/mm2密度和3.2GT/s I/O總線，但它是8平面而不是4平面，并且據(jù)說可提供205MB/s的吞吐量以及40μs的讀取延遲。

除了研究8平面的3D NAND結(jié)構(gòu)外，研究人員還將提交關(guān)于300層3D NAND的論文（T7-1），文中表示，為實現(xiàn)這一目標(biāo)，兩家公司計劃采用金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)技術(shù)。

通過MILC技術(shù)，在超過300層的垂直存儲孔中，形成14微米長的類通心粉硅通道。據(jù)報道，這種實驗性3D NAND還利用尖端的吸鎳方法消除硅材料中的雜質(zhì)和缺陷，從而提高單元陣列性能。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)