近日，英飛凌宣布推出SEMPER Nano NOR Flash閃存產(chǎn)品，該閃存產(chǎn)品具有高功率密度、較小占板面積、低功耗等優(yōu)勢特性。這種存儲器經(jīng)過專門優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。

據(jù)介紹，英飛凌本次推出的SEMPER Nano NOR Flash閃存產(chǎn)品外形小巧，功耗超低。該器件采用了英飛凌MIRRORBIT™專利技術(shù)，可采用KGW，WL-CSP和BGA等不同封裝形式。關(guān)鍵的技術(shù)參數(shù)包括256Mbit密度、1.8V工作電壓和高達40Mbps的SPI吞吐量等。

該閃存產(chǎn)品提供了工業(yè)級和商用級兩種256Mbit1.8V配置，其SPI吞吐量高達40Mbyte/s，可實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的待機電流和有效電流。內(nèi)置糾錯碼（ECC）增強了可靠性，可配置的扇區(qū)架構(gòu)則支持對代碼或數(shù)據(jù)存儲進行優(yōu)化。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)