近日，存儲器大廠鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同宣布推出最新的218層3D NAND閃存。據(jù)鎧俠首席技術官Masaki Momodomi介紹，公司與西數(shù)成功推出了目前具有業(yè)界最高位密度的第八代BiCS閃存，現(xiàn)已開始為部分客戶提供樣品。

此次西部數(shù)據(jù)聯(lián)合鎧俠推出的218層3D NAND閃存產品利用具有四個平面的1Tb三級單元 (TLC) 和四級單元 (QLC)，采用橫向收縮技術，可將位密度提高約50%。同時，其NAND I/O速度超過3.2Gb/s，比上一代產品提高了約60%，此外，其寫入性能和讀取延遲則改善了20%。

鎧俠和西數(shù)表示，該產品采用先進的縮放和晶圓鍵合技術，可以滿足廣泛市場領域呈指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)需求，包括智能手機、物聯(lián)網設備和數(shù)據(jù)中心等。

封面圖片來源：拍信網