3月28日，硅智財供貨商力旺電子與晶圓制造廠商聯(lián)華電子共同宣布，力旺的可變電阻式存儲器(RRAM)硅智財已通過聯(lián)電22納米超低功耗的可靠度驗(yàn)證，為聯(lián)電的AIoT與行動通訊應(yīng)用平臺提供更多元的嵌入式內(nèi)存解決方案，未來雙方也將持續(xù)合作開發(fā)車用規(guī)格的RRAM。

力旺電子提供的8Mb RRAM IP具有額外的16Kb信息儲存區(qū)塊和內(nèi)部修復(fù)與錯誤偵測/修正等關(guān)鍵功能，可用于IoT設(shè)備中的微控制器和智能電源管理IC的編碼儲存，可支持人工智能之內(nèi)存內(nèi)運(yùn)算架構(gòu)。聯(lián)電提供22納米的0.8V/2.5V RRAM平臺，使用較少的光罩層數(shù)、較短的生產(chǎn)周期和更容易與BCD、高壓等特殊制程整合的優(yōu)勢。

力旺電子技術(shù)長暨第二事業(yè)群總經(jīng)理林慶源表示，對40納米、22納米和高階制程而言，RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式內(nèi)存選項(xiàng)。力旺的下一個RRAM開發(fā)目標(biāo)是對應(yīng)汽車應(yīng)用需求，在22納米 0.8V/2.5V 平臺實(shí)現(xiàn)更高的儲存密度(16Mb)、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續(xù)提升的覆寫能力。此外，公司繼續(xù)推進(jìn)在0.8V/1.8V ULP上的開發(fā)。憑借其用于讀取和寫入模式的低工作電壓，力旺的RRAM將成為主流技術(shù)平臺上最具成本效益的eFlash解決方案，并可擴(kuò)展至更多制程節(jié)點(diǎn)。

力旺電子的RRAM IP具有一萬次覆寫能力和長達(dá)10年的數(shù)據(jù)保留，并可承受高達(dá)105度的高溫。這款RRAM IP設(shè)計具備友善的接口、完整的用戶模式和測試模式，并可在0.8V/2.5V標(biāo)稱雙電壓接口下進(jìn)行編程。RRAM不需對前端制程做額外調(diào)整，并采用低溫后端制程，幾乎不會產(chǎn)生額外的熱預(yù)算。與分離閘閃存(split-gate Flash)相比，RRAM具有相對簡單的結(jié)構(gòu)、使用較少層的光罩、較友善的制程和更高的CMOS制程兼容性。在對性能要求相對嚴(yán)格的汽車應(yīng)用中，RRAM與MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。

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