近日，北京工業(yè)大學(xué)理學(xué)部王曉蕾副教授團(tuán)隊在磁-電多態(tài)存儲器研究領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展，研究成果“Electrical and magnetic anisotropies in van der Waals multiferroic CuCrP2S6”發(fā)表在權(quán)威期刊《Nature Communications》上。

非易失存儲器作為信息存儲的核心載體，利用存儲材料的物理特性作為存儲“介質(zhì)”。由于其具有能耗遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲器件等優(yōu)勢，已被納入了國家“十四五”信息化規(guī)劃。如何簡單、高效地調(diào)控存儲材料的物理特性，以實現(xiàn)存儲器變量在多穩(wěn)態(tài)之間的切換（即數(shù)據(jù)的寫入），是開發(fā)非易失存儲器必須要解決的關(guān)鍵技術(shù)問題之一。

王曉蕾副教授團(tuán)隊在調(diào)控存儲材料物理特性方面的研究成果，取得了四個方面的突破：一、首次揭示了范德華多鐵CuCrP2S6材料面內(nèi)的電學(xué)各向異性，以及極化電壓、通電時間和極化方向調(diào)制的憶阻行為；二、觀察到溫度和磁場調(diào)控的自旋翻轉(zhuǎn)和反鐵磁相變，獲得了不同晶軸方向上的磁各向異性參數(shù)；三、首次發(fā)現(xiàn)了常規(guī)頻率范圍內(nèi)，各向異性的自旋共振行為，以及在小磁場下調(diào)控的多種共振模式；四、證明了磁電耦合效應(yīng)，可制備低功耗、非易失的新型磁電多態(tài)憶阻器，能耗比電流驅(qū)動的自旋憶阻器件降低了兩個數(shù)量級。

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