三星電子官方消息，近期三星已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn)，三星表示希望以優(yōu)異的性能和更高的能效，推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展。

據(jù)悉，這一技術(shù)突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進(jìn)關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計技術(shù)而實現(xiàn)的。

結(jié)合先進(jìn)的多層極紫外（EUV）光刻技術(shù)，新款DRAM擁有三星最高的Die密度（Die density），可使晶圓生產(chǎn)率提高20%。

基于DDR5最新標(biāo)準(zhǔn)，三星12nm級DRAM將解鎖高達(dá)7.2千兆每秒（Gbps）的速度，這意味著一秒鐘內(nèi)處理兩部30GB的超高清（UHD）電影。

新款DRAM同時擁有卓越的速度與更高的能效。與上一代三星DRAM產(chǎn)品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%。隨著2023年新款DRAM量產(chǎn)，三星計劃將這一基于先進(jìn)12nm級工藝技術(shù)的DRAM產(chǎn)品擴(kuò)展到更廣泛的市場領(lǐng)域，同時繼續(xù)與行業(yè)伙伴合作，推動下一代計算的快速發(fā)展。

DRAM大廠先進(jìn)制程競賽繼續(xù)

2022年由于疫情、高通貨膨脹、消費(fèi)電子市場低迷等多重因素影響，存儲行業(yè)邁入下行周期，存儲價格持續(xù)下探，廠商營收不及預(yù)期，紛紛減產(chǎn)應(yīng)對。逆境之下，存儲廠商“蟄伏”蓄能，通過先進(jìn)技術(shù)持續(xù)提升競爭實力。

DRAM領(lǐng)域，以三星、美光等為代表的大廠先進(jìn)制程競賽正不斷打響。

三星在今年10月召開的Samsung Foundry Forum 2022活動上，對外公布了DRAM技術(shù)路線圖。按照規(guī)劃，三星將于2023年進(jìn)入1bnm工藝階段，即第五代10nm級別DRAM產(chǎn)品，芯片容量將達(dá)到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbp。這意味著除了上述16Gb DDR5 DRAM，未來三星將有更多先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)品亮相。

美光方面，今年11月初宣布采用全球先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM（第五代10nm級別DRAM產(chǎn)品）產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。據(jù)悉，美光1β DRAM于今年11月中旬率先在日本工廠量產(chǎn)，之后也會在中國臺灣量產(chǎn)。除此之外，美光還計劃在未來一年在嵌入式、數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費(fèi)類產(chǎn)品、工業(yè)和汽車等領(lǐng)域量產(chǎn)1β節(jié)點(diǎn)，推出包括顯示內(nèi)存和高帶寬內(nèi)存等產(chǎn)品。