近日，美光科技尖端存儲器1β DRAM正式在日本廣島量產，但與此同時，為應對市場需求，美光還宣布將存儲器產量減產約20%。

功效提升15%，1β DRAM正式量產

據日本共同社報道，美國半導體巨頭美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司”已于16日開始在該市的廣島工廠啟動最尖端DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的量產。

與上代產品相比，功率效率和存儲密度分別提升了約15%和約35%，主要面向智能手機出貨，明年還將在中國臺灣啟動量產。

據悉，美光日本廣島工廠是其在2013年收購爾必達(ELPIDA)時取得，并于2019年開始建設新廠房等，致力于尖端技術產品DRAM的生產。目前，該廠投產制程主要為1Z納米（占比50%以上）和1Y納米（占比約35%）。

今年11月初，美光宣布，正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術的合格樣品合作伙伴。

美光最近宣布，其廣島生產基地將獲得高達465億日元的政府補貼。美光將利用這筆贈款擴大其行業(yè)領先的制造能力，包括與1β DRAM內存相關的能力。

市場需求疲弱，美光削減20%存儲器供應

眾所周知，美光是全球知名的存儲器大廠，不過，由于消費性電子需求持續(xù)萎縮，對其營收造成沖擊，第三季營收約48.1億美元，環(huán)比下降23.3%。

為應對市場需求下滑導致公司難以清理過剩庫存，美光16日表示，本季度DRAM和NAND的晶圓開工量將比2022年第四季削減20%，并計劃進一步削減資本支出。

此外，美光同時警告2023年需求展望近來趨疲，屆時DRAM的位元供給年增率將是負值，而NAND的位元供給只會有單位數成長率。此前，美光曾表示，會將今年度的資本支出減少30%。

展望2023年度，該公司預期DRAM的位元供應增幅掉到負值，而NAND則落在個位數百分比區(qū)間。

美光說表示，近期而言，對2023年度的市場展望一直都很疲弱。因此美光認為今年度以位元計的DRAM供應量必須縮減，而NAND的位元供應增幅必須大幅低于先前預估。

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