10月11日，英特爾表示，公司已從美國商務部獲得為期一年的授權，繼續(xù)運營其位于中國大連的NAND閃存芯片業(yè)務。

據了解，目前，由于英特爾向外出售NAND閃存業(yè)務的程序尚在進行中，大連閃存工廠目前仍由英特爾負責運營。但在英特爾的整體業(yè)務中，NAND體量占比較小。

另外，據韓媒《韓聯社》10月12日報道，三星在未來1年內，無需辦理任何額外的手續(xù)即可獲得美系半導體設備的供應。其位于中國大陸的晶圓廠的生產都將不會受到限制影響。

目前，三星正在持續(xù)推進西安高端3D NAND存儲芯片項目的建設。

該項目分為三期，一期項目總投資108億美元，2014年5月竣工投產，月產能13萬片；二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，月產能13萬片，二期項目第二階段于2021年年中建成投產。

三星西安NAND存儲生產基地產能占三星全球NAND Flash整體產能當中的占比高達40%。

據悉，三星還將投資150億美元建設西安三期項目，主要制造5G芯片和汽車芯片。

封面圖片來源：拍信網