存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表,其二三季度的低迷表明著半導(dǎo)體行業(yè)正處于下行周期。
今年二季度以來(lái),內(nèi)存、閃存價(jià)格迅速下跌,存儲(chǔ)大廠SK海力士、美光、鎧俠業(yè)績(jī)波動(dòng)巨大,紛紛祭出減產(chǎn)或放緩?fù)顿Y等緊急舉措應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化,而三星或有意反其道而行。
內(nèi)存價(jià)格方面,據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,今年二季度DRAM平均合同價(jià)格同比下跌10.6%,為2年來(lái)首降。
第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí),各DRAM供應(yīng)商為求增加市占的策略不變,市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形,將導(dǎo)致第四季度DRAM價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至13~18%。

閃存的價(jià)格也正在下降,據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,目前NAND Flash正處于供過于求,下半年起買方著重去化庫(kù)存而大幅減少采購(gòu)量,賣方開出破盤價(jià)以鞏固訂單,使第三季wafer價(jià)格跌幅達(dá)30~35%,但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱,原廠庫(kù)存因此急速上升,導(dǎo)致第四季NAND Flash價(jià)格跌幅擴(kuò)大至15~20%。

而絕大部分原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損,意即部分供應(yīng)商在運(yùn)營(yíng)陷入虧損的壓力下, 對(duì)于采取減產(chǎn)以降低虧損是可能的對(duì)應(yīng)方式。
為了應(yīng)對(duì)持續(xù)低迷的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng),美光、鎧俠、三星、SK海力士等存儲(chǔ)芯片大廠紛紛紛紛采取減產(chǎn)、縮減明年資本支出等方式減少損失。
美光宣布公司明年資本支出將削減30%
近日,美光發(fā)布了其慘淡的2022年四季度財(cái)報(bào)數(shù)據(jù),該季營(yíng)收同比下滑19.71%至66.43億美元,為兩年來(lái)首次下滑,遠(yuǎn)低于此前美光公布的財(cái)測(cè)下限目標(biāo)(68億至76億美元)。其凈利潤(rùn)為14.9億美元,同比大幅下滑45%。
美光同時(shí)還發(fā)出預(yù)警,表示所有客戶都在削減訂單,未來(lái)的存儲(chǔ)芯片需求和公司經(jīng)營(yíng)將面臨更嚴(yán)重的困難,并宣布公司2023財(cái)年的資本支出將削減30%。
鎧俠旗下兩座NAND閃存工廠減產(chǎn)
繼美光削減明年資本開支后,鎧俠也于同日發(fā)布聲明,稱將調(diào)整日本四日市和北上NANA Flash晶圓廠的生產(chǎn),從10月開始晶圓生產(chǎn)量將減少約30%,鎧俠會(huì)繼續(xù)根據(jù)需要審查和調(diào)整營(yíng)運(yùn)。
不過鎧俠也表示,雖目前有調(diào)整產(chǎn)量,但因公司對(duì)NAND Flash市場(chǎng)中長(zhǎng)期成長(zhǎng)前景充滿信心,將繼續(xù)引領(lǐng)新產(chǎn)品開發(fā),并以可持續(xù)的長(zhǎng)期成長(zhǎng)為發(fā)展方向。
SK海力士或考慮調(diào)整明年資本支出
在此前7月底的業(yè)績(jī)說明會(huì)上,SK海力士就曾表示,2022二季度DRAM和NAND的庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)均上升,考慮未來(lái)可能的高庫(kù)存水位,正謹(jǐn)慎排產(chǎn),并可能一定程度調(diào)整明年的資本支出。
三星或反其道而行?表示不人為減產(chǎn)
近日,三星電子公布了其2022年第三季度的初步財(cái)報(bào),初步核實(shí)第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比減少31.73%,為10.8萬(wàn)億韓元;銷售額同比增加2.73%,為76萬(wàn)億韓元。綜合外媒報(bào)道顯示,這是三星電子營(yíng)業(yè)利潤(rùn)時(shí)隔三年出現(xiàn)同比負(fù)增長(zhǎng)。
據(jù)外媒消息,面對(duì)同行的減產(chǎn)舉措,三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)全球營(yíng)銷主管Han Jin-man在近期舉行的三星科技日年度大會(huì)中透露將不會(huì)考慮減產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。他表示,三星的基本立場(chǎng)是不應(yīng)人為減產(chǎn),并力圖確保芯片供給不會(huì)長(zhǎng)期短缺也不過剩。
對(duì)于大部分廠商而言,下行周期減產(chǎn)是正常舉措。但三星電子而言,其往往選擇逆流而上。縱觀內(nèi)存發(fā)展史,三星電子曾在1980年、1990年和2007年進(jìn)行過三次存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的反周期投入,三星在此期間通過增加產(chǎn)量加大研發(fā)力度,保證在技術(shù)、市場(chǎng)兩方面的領(lǐng)先地位。
近日三星在Samsung Foundry Forum 2022活動(dòng)中表示,今年三星將進(jìn)入1bnm工藝階段,其新一代GDDR7顯存也將在明年問世。此外,三星計(jì)劃2026年推出DDR6內(nèi)存,2027年實(shí)現(xiàn)原生10Gbps的速度。這或許又是三星的一次豪賭機(jī)會(huì)。
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會(huì)議推薦
TSS 2022
2022年10月12日(周三),在集邦咨詢舉辦的“2022TSS集邦咨詢半導(dǎo)體峰會(huì)暨存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)高層論壇”線上會(huì)議期間,集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮和資深分析師敖國(guó)鋒將分別針對(duì)內(nèi)閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展發(fā)表主題演講,與產(chǎn)業(yè)大咖共同探討存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與未來(lái)。

封面圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)
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