據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,2022年第2季DRAM產(chǎn)業(yè)營收255.9億美元,季增6.5%。營收的成長動力來自于部分DRAM供應(yīng)商出貨位元的增長,雖然PC、mobile DRAM的需求因受通貨膨脹沖擊而開始減少,但上半年server DRAM 動能維持強勁,帶動三星、美光、SK海力士三大原廠出貨季增均達到 5-10%。
雖然產(chǎn)業(yè)營收成長,但受到消費市場疲軟影響,DRAM市場需求持續(xù)減弱。展望第3季,TrendForce集邦咨詢認為,由于原廠庫存壓力進一步攀升,價格跌幅明顯擴大,而出貨端受到客戶庫存調(diào)整的影響將難以成長,三家廠商營收恐將下跌。
從中長期看,全球DRAM市場仍將保持增長。在當下周期下行壓力下,美光、三星紛紛蟄伏擴產(chǎn)蓄能,發(fā)力制程突破,等待新一輪周期上行。
制程上,美光在2021年便推出了其1anm內(nèi)存節(jié)點DRAM,推出該工藝時,美光依舊未使用EUV光刻技術(shù),美光稱其存儲密度比之前的1z nm節(jié)點DRAM提高40%。
據(jù)悉,美光1bnm將在今年年底于日本廠優(yōu)先投產(chǎn),待良率提升至一定水準后,預(yù)計明年在中國臺灣廠繼續(xù)導(dǎo)入量產(chǎn)。此外,今年6月,美光臺灣區(qū)董事長盧東暉表示,其A3廠將會在今年下半年導(dǎo)入EUV設(shè)備,為美光1γ DRAM早日量產(chǎn)預(yù)做準備。

美光產(chǎn)能擴建也在近日正式提上日程。9月1日,美光科技宣布,計劃于2030年之前投資150億美元,在愛達荷州博伊西(Boise)建造一座新的尖端存儲器制造廠。據(jù)悉,這是美光未來十年在全球投資超1500億美元用于制造和研發(fā)計劃的一部分,其中包括在2030年前投資400億美元,在美國分多個階段建立存儲器制造廠。
公開資料顯示,這將是20年來在美國本土新建的第一家存儲器芯片制造工廠,也是愛達荷州有史以來最大的私人投資項目。美光表示,公司將重點為美國本土市場的汽車和數(shù)據(jù)中心等行提供存儲器芯片。目前,美光還未公開新工廠產(chǎn)能將生產(chǎn)何種芯片的詳細信息。
制程上,今年2月,三星官方表示其基于極紫外(EUV)光刻技術(shù)的1z-nm工藝的DRAM已完成了量產(chǎn)。業(yè)界消息顯示,三星還將繼續(xù)為下一代DRAM增加EUV步驟,其三星的P3工廠也將采用EUV工藝生產(chǎn)10nm DRAM。
產(chǎn)能擴建方面,據(jù)外媒近日消息,三星計劃在韓國京畿道平澤市再建3條產(chǎn)線,考慮到每個半導(dǎo)體工廠約需30萬億韓元以上投資,三星電子將為該計劃共投入100萬億韓元(約740億美元)資金。
據(jù)悉,三星最近開始平澤工廠第4條生產(chǎn)線的初步建設(shè),其第3條生產(chǎn)線的建設(shè)預(yù)計將于今年下半年完成,并在明年初開始貢獻投片,三星計劃優(yōu)先投產(chǎn)制程為1alpha納米的DRAM產(chǎn)品,其將顯著帶動1alpha納米投產(chǎn)比重的提升。消息顯示,三星3條新增產(chǎn)線的落地后,其平澤芯片工廠的生產(chǎn)線將增至6條。
封面圖片來源:拍信網(wǎng)