8月3日，長江存儲正式發(fā)布了基于晶棧®（Xtacking）3.0技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。

據(jù)官方介紹，X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高質量可靠性。相比長江存儲上一代產(chǎn)品，X3-9070擁有更高的存儲密度，更快的I/O速度，并采用6-plane設計，性能提升的同時功耗更低，進一步釋放系統(tǒng)級產(chǎn)品潛能。

△圖片來源：長江存儲

性能方面，X3-9070實現(xiàn)高達2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規(guī)范，較上一代產(chǎn)品實現(xiàn)了50%的性能提升；密度方面，X3-9070是長江存儲歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品，能夠在更小的單顆芯片中實現(xiàn)1Tb的存儲容量。

此外，得益于6-plane設計，X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane，功耗降低25%，能效比顯著提升。

長江存儲晶棧®技術于2018年問世，目前已成為長江存儲助推閃存行業(yè)發(fā)展的關鍵動力之一。隨著長江存儲晶棧®3.0的推出，新一代X3系列閃存產(chǎn)品將為大數(shù)據(jù)、5G、智能物聯(lián)（AloT）及其他領域的多樣化應用帶來新的機遇。

長江存儲執(zhí)行副總裁陳軼表示，面對蓬勃發(fā)展的5G、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、人工智能等新技術帶來的全新需求和挑戰(zhàn)，長江存儲將以晶棧®為基點，不斷開發(fā)更多高品質閃存產(chǎn)品，協(xié)同上下游存儲合作伙伴，為存儲產(chǎn)業(yè)賦能。

有媒體報道稱，根據(jù)供應鏈消息，此次長江存儲發(fā)布的新品堆疊層數(shù)已達到232層，達到業(yè)界領先水平。

無獨有偶，就在幾天前，美光搶先宣布已開始在新加坡工廠量產(chǎn)全球首款232層NAND閃存，而SK海力士也在今日宣布已向客戶發(fā)送了238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。

需要指出的是，三星、鎧俠、以及西數(shù)也在發(fā)力200層以上NAND閃存。例如，有消息稱三星或將在今年底或2023年上半年開始量產(chǎn)供應224層3D NAND，西數(shù)則在此前表示，將與合作伙伴鎧俠在2032年之前陸續(xù)推出300層以上、400層以上與500層以上閃存技術。

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