6月6日，瀾起科技、東芯股份相繼透露其自身產品及工作重點新消息。

瀾起科技：預計DDR5后續(xù)可能還會有1~2個子代

瀾起科技在接受機構調研時表示，從JEDEC已公布的相關信息來看，DDR5內存接口芯片已規(guī)劃三個子代，支持速率分別是4800MT/s、5600MT/s、6400MT/s，預計后續(xù)可能還會有1-2個子代。預計今年除了DDR5第一子代產品逐漸上量以外，DDR5第二子代內存接口芯片還會有一定量的樣品需求。

瀾起科技稱，2021年第四季度，DDR5內存接口芯片及內存模組配套芯片已正式量產出貨，并在2022年第一季度持續(xù)出貨。

關于2021年主要產品的進展及研發(fā)成果，瀾起科技表示，在互連類芯片產品線上，DDR5第一子代內存接口芯片及內存模組配套芯片實現(xiàn)量產，完成DDR5第二子代內存接口芯片和PCIe5.0Retimer工程樣片的流片。

2022年瀾起科技將持續(xù)投入研發(fā)創(chuàng)新，研發(fā)工作重點主要有如下兩方面：

1、穩(wěn)步推進現(xiàn)有產品的迭代升級及研發(fā)：（1）互連類芯片產品線：完成DDR5第二子代內存接口芯片、PCIe5.0Retimer量產版本研發(fā)，做好量產前的質量認證等準備工作。（2）津逮®服務器平臺產品線：完成第四代津逮®CPU研發(fā)，并實現(xiàn)量產；（3）AI芯片：完成第一代AI芯片工程樣片流片。

2、啟動多項新產品的研發(fā)設計工作：包括CKD芯片、MCRRCD/DB芯片、MXC芯片，目標是在2022年底之前完成上述三大新產品第一代產品工程樣片流片。同時，公司新推出的《2022年限制性股票激勵計劃（草案）》中設定2023年考核指標為：上述三大新產品完成量產版本研發(fā)并實現(xiàn)出貨。

東芯股份：在NOR和DRAM上持續(xù)發(fā)力

東芯股份在接受機構調研時表示，目前公司在38nm工藝上，今年已經(jīng)可以為客戶提供車規(guī)級的PPI NAND以及SPI NAND的樣品，包括1G、2G到最大的8G車規(guī)的NAND Flash。NOR Flash公司目前正在研發(fā)的是48nm中高容量的NOR Flash車規(guī)級產品。

東芯股份認為，SLC NAND是進入NAND Flash的必經(jīng)之路，在SLC NAND的布局上，公司目前有兩個方向，分別是高可靠性和更新工藝。

在高可靠性方面，由于公司本身就具備開發(fā)更高容量NAND的基礎，因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的產品，如車規(guī)級的SLC NAND。目前公司也是國內少數(shù)幾家有做車規(guī)級的SLC NAND能力的企業(yè)。

在更新工藝方面，公司不斷更新制程，從38nm、24nm，再到現(xiàn)在正在開發(fā)的19nm的工藝。通過更新工藝來為客戶帶來更具性價比、更高容量的產品。

東芯股份稱，2021年至2022年，SLC NAND在營收占比大約在50%至60%左右，保持相對穩(wěn)定的狀態(tài)。從長期來看，雖然SLC NAND是公司的優(yōu)勢產品，但公司也會在NOR和DRAM上持續(xù)發(fā)力。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)