在近期舉辦的投資者日活動(dòng)上，西部數(shù)據(jù)公布未來閃存技術(shù)路線圖，西數(shù)表示將與合作伙伴鎧俠推出162層閃存產(chǎn)品（BiCS6），之后兩家公司還將發(fā)力200層以上（2XX層）閃存技術(shù)。

目前閃存市場上176層閃存產(chǎn)品已經(jīng)批量出貨，西數(shù)與鎧俠162層閃存雖然層數(shù)不及176層，但西數(shù)表示將采用新材料以縮小存儲(chǔ)單元尺寸，進(jìn)而縮小芯片尺寸。

△Source：西數(shù)

西數(shù)與鎧俠計(jì)劃2022年底前開始量產(chǎn)162層NAND，未來兩家公司還將推出200層以上（BiCS+）的閃存產(chǎn)品，與BiCS6相比，200層以上BiCS+每個(gè)晶圓的位元將增加55%，傳輸速度提高60%，寫入速度提高15%。

BiCS+產(chǎn)品將率先應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，未來西數(shù)還將推出應(yīng)用于消費(fèi)者領(lǐng)域的200層以上產(chǎn)品（BiCS-Y）。

△Source：西數(shù)

除此之外，西數(shù)還透露，2032年之前還將陸續(xù)推出300層以上、400層以上與500層以上閃存技術(shù)。

△Source：西數(shù)

延申閱讀：美光公布內(nèi)存、閃存技術(shù)路線圖

無獨(dú)有偶，另一大存儲(chǔ)廠商美光也在投資者日活動(dòng)上公布了最新內(nèi)存、閃存技術(shù)路線圖。

在DRAM領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)發(fā)力1β、1γ與1δ工藝，其中美光計(jì)劃2022年底前推出1β DRAM產(chǎn)品，將可為圖形、HBM3和汽車等領(lǐng)域提供良好的性能，美光還將在1γ DRAM工藝中引入EUV技術(shù)。

△Source：美光

NAND Flash方面，176層NAND閃存之后，美光工藝節(jié)點(diǎn)依次是232層、2YY、3XX與4XX。其中，美光將在2022年底開始推出232層NAND產(chǎn)品...【閱讀原文】

封面圖片來源：拍信網(wǎng)