據(jù)韓媒TheElec 4月4日消息，韓國NAND閃存芯片材料供應(yīng)商DS Techopia計劃在第三季度將其用于生產(chǎn)NAND閃存芯片的材料六氯乙硅烷（HCDS）的產(chǎn)能擴(kuò)大多達(dá)50%。

據(jù)了解，HCDS用于在硅芯片上形成氧化硅（SiO2）和氮化硅（SiN）層。該材料被認(rèn)為比其他材料更穩(wěn)定、更純凈，廣泛用于生產(chǎn)DRAM和NAND閃存芯片的低溫沉積工藝。

TheElec消息稱，DS Techopia目前經(jīng)營著2家生產(chǎn)HCDS的工廠，并計劃增加第3家工廠，該工廠于2021年年中開始生產(chǎn)。DS Techopia發(fā)言人表示，第3家工廠比前2家工廠略大，當(dāng)所有3個工廠都滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)時，該公司每年可生產(chǎn)價值高達(dá)900億韓元的HCDS。

DS Techopia表示，這樣做是因為三星等客戶正在擴(kuò)大其整體NAND閃存產(chǎn)量，同時應(yīng)用更先進(jìn)的3D工藝。

據(jù)BusinessKorea 4月1日報道，三星已經(jīng)完成了其在中國西安的二期NAND閃存工廠的擴(kuò)建。該工廠每月可加工13萬片12英寸的晶圓，比第一工廠每月12萬片要高。

據(jù)悉，三星在韓國的新工廠P3也有望在下半年投產(chǎn)時生產(chǎn)176層NAND閃存芯片。

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