近日，華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院網(wǎng)站發(fā)文稱，學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制出了全世界功耗最低的相變存儲(chǔ)器。

在新型存儲(chǔ)器中，相變存儲(chǔ)器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術(shù)最成熟的存儲(chǔ)技術(shù)。2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲(chǔ)芯片，速度和壽命比固態(tài)閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十倍。

△Source：華中科技大學(xué)官網(wǎng)截圖

不過，相變存儲(chǔ)器的功耗極高且發(fā)熱嚴(yán)重，限制了存儲(chǔ)容量的進(jìn)一步提高，也大大增加了其制造成本。目前最先進(jìn)的幾十納米制程的單個(gè)相變存儲(chǔ)單元擦寫功耗達(dá)到了40pJ左右，而實(shí)驗(yàn)室制備的百納米大小的器件功耗達(dá)到1000pJ以上。

為了解決相變存儲(chǔ)器中高功耗的瓶頸問題，華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院信息存儲(chǔ)材料及器件研究所（ISMD）聯(lián)合西安交通大學(xué)材料創(chuàng)新設(shè)計(jì)中心（CAID）研發(fā)了一種網(wǎng)狀非晶結(jié)構(gòu)的相變存儲(chǔ)器，功耗達(dá)到了0.05pJ以下，比主流產(chǎn)品功耗低了一千倍。

據(jù)華中科技大學(xué)介紹，與普通“蘑菇結(jié)構(gòu)”的相變存儲(chǔ)器相比，該相變存儲(chǔ)器除了低功耗以外，還擁有一致性好且壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)