1月12日，據(jù)外媒TECHSPOT報道，本月早些時候，英國蘭開斯特大學(xué)物理與工程系的研究人員發(fā)表了一篇論文，詳細(xì)介紹了UltraRAM近期取得的重要進(jìn)展。

TECHSPOT報道顯示，UltraRAM是一種存儲器技術(shù)，它是將非易失閃存 NAND、易失性內(nèi)存 RAM 結(jié)合在一起，兼顧能效，具有極高的耐用性。

據(jù)了解，此前英特爾Optane 傲騰已嘗試彌合DRAM和閃存存儲之間的差距，并量產(chǎn)了傲騰內(nèi)存產(chǎn)品，但仍不足以完全替代 RAM。而三星具備Z-NAND技術(shù)，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也希望將 XL-FLASH 存儲應(yīng)用到消費級或企業(yè)級存儲產(chǎn)品中。

報道稱，用于UltraRAM的制造工藝與光電器件（如LED，激光器，光電二極管和光電晶體管）中使用的半導(dǎo)體元件相似。從結(jié)構(gòu)上看，這種存儲技術(shù)采用硅襯底，相比砷化鎵成本大幅降低。這意味著UltraRAM有可能成為一種經(jīng)濟高效的存儲器解決方案?？茖W(xué)家表示，他們測試過的原型設(shè)備可以提供1000年的數(shù)據(jù)保留和超過1000萬次編程/擦除循環(huán)的"無退化耐久性"。

報道指出，UltraRAM采用“共振隧穿”量子力學(xué)效應(yīng)，在施加電壓時，將勢壘從不透明切換到透明。相比于RAM和NAND存儲中使用的寫入技術(shù)，UltraRAM 的寫入過程更加節(jié)能，因此有助于提高移動設(shè)備的續(xù)航時間。

根據(jù)報道，蘭卡斯特大學(xué)的研究人員表示，他們需要進(jìn)一步改進(jìn)存儲單元的制造工藝，提高存儲密度。這項技術(shù)具有很大的潛力，可消除在處理器、內(nèi)存和設(shè)備的非易失性存儲之間來回傳輸數(shù)據(jù)的過程。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)