12月17日，杭州國家“芯火”平臺在杭州市濱江區(qū)海外高層次人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)基地舉行“杭州芯火壹號”HX001芯片鑒定暨產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，正式宣告杭州國家“芯火”的第一顆芯片——超大窗口阻變隨機(jī)存儲器芯片的誕生。

根據(jù)杭州國家芯火消息，HX001芯片是杭州國家“芯火”雙創(chuàng)平臺共性技術(shù)研究的一部分，由杭州國家“芯火”雙創(chuàng)平臺與浙江大學(xué)微納電子學(xué)院協(xié)同開發(fā)完成。

圖片來源：杭州國家芯火

據(jù)官方介紹，“杭州芯火壹號”HX001芯片的阻變器件選擇插層結(jié)構(gòu)，采用雙層或多層的插層結(jié)構(gòu)來固定導(dǎo)電細(xì)絲在電極、插層和阻變層界面處的位置，制備Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni結(jié)構(gòu)，來有效地減少阻變器件的阻變參數(shù)的離散性。具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni結(jié)構(gòu)的阻變器件不需要Forming操作，從而有效提高憶阻器的窗口，存儲窗口可大于106，并減少了對器件的后端集成。同時(shí)，采用十字交叉陣列將單元面積做到40F2，大大提高了阻變器件的集成密度。

杭州國家芯火消息稱，經(jīng)浙江科正電子信息產(chǎn)品檢驗(yàn)有限公司和閎康技術(shù)檢測（上海）有限公司對“杭州芯火壹號”的功能和性能檢測，檢測報(bào)告顯示：HX001芯片的工作電壓小于5V；所讀取的憶阻器阻值窗口遠(yuǎn)大于106；在150℃環(huán)境下，分別在1s，30s，100s，300s，1000s，3000s時(shí)加約0.1V小電壓對憶阻器進(jìn)行數(shù)據(jù)保持特性測試，憶阻器均能保持電阻阻值穩(wěn)定；根據(jù)模型外推憶阻器所存儲的數(shù)據(jù)可在150℃環(huán)境溫度下保持10年以上；憶阻器單元面積小于40F2。目前，已申請一項(xiàng)國家發(fā)明專利。

據(jù)悉，目前，HX001芯片已經(jīng)多家單位評測試用，用戶均認(rèn)為該芯片產(chǎn)品具有較好的存儲特性和可靠性，優(yōu)于市場同類產(chǎn)品，具有較好的市場應(yīng)用前景。

資料顯示，2018年3月，國家工信部批復(fù)依托杭州國家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)杭州國家“芯火”雙創(chuàng)基地（平臺），從而成為全國第五家國家“芯火”平臺。杭州國家“芯火”雙創(chuàng)基地（平臺）建有浙江省集成電路設(shè)計(jì)公共技術(shù)平臺、公共EDA服務(wù)平臺、IP應(yīng)用服務(wù)平臺、MPW服務(wù)平臺、驗(yàn)證與測試服務(wù)平臺、人才培訓(xùn)及孵化等平臺。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)