存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)廠晶豪科受惠存儲(chǔ)器需求暢旺,第三季獲利有機(jī)會(huì)續(xù)寫新猷,雖然近期存儲(chǔ)器市場(chǎng)雜音頻傳,不過(guò),晶豪科表示,長(zhǎng)短料為短期干擾因素,客戶看好后續(xù)需求動(dòng)能,估明年底前利基型DRAM供需仍將吃緊。
晶豪科表示,前陣子客戶受到長(zhǎng)短料問(wèn)題影響,拉貨稍微緩和,但客戶均強(qiáng)調(diào)后續(xù)包括5G、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用需求動(dòng)能仍持續(xù),受長(zhǎng)短料干擾只是短期問(wèn)題。
晶豪科指出,第四季合約價(jià)約持平或小幅修正,客戶大多擔(dān)心沒(méi)有料源,價(jià)格相對(duì)比較好談。
需求來(lái)看,晶豪科表示,往年第四季通常會(huì)較第三季持平或下滑,今年季節(jié)性變動(dòng)也維持差不多狀態(tài),第三季將是今年?duì)I運(yùn)高點(diǎn),第四季將持平或微幅下滑。
對(duì)于明年供需,晶豪科表示,包括5G、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用持續(xù)增加,加上要到明年底才會(huì)有同業(yè)新產(chǎn)能開(kāi)出,且要放量也要等到2023年,預(yù)估明年底前利基型DRAM供需仍將吃緊。
晶豪科指出,標(biāo)準(zhǔn)型DRAM與利基型DRAM制程產(chǎn)線、應(yīng)用產(chǎn)品都不會(huì)互跨,公司均投片在成熟制程的存儲(chǔ)器,如DDR、DDR2、DDR3,且DDR3營(yíng)收比重占整體DRAM非最高,單顆顆粒容量也較其他同業(yè)小很多,不會(huì)受標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器波動(dòng)影響。
晶豪科目前NOR Flash主要在武漢新芯投片、DRAM代工廠則是力積電。 雖然中國(guó)大陸官方要求明年起晶圓代工廠產(chǎn)能,將優(yōu)先供應(yīng)給當(dāng)?shù)豂C設(shè)計(jì)廠及系統(tǒng)廠,不過(guò),晶豪科指出,與武漢新芯是長(zhǎng)期合作伙伴,對(duì)確保長(zhǎng)期產(chǎn)能有信心;也與力積電簽長(zhǎng)約,確保后續(xù)需求供應(yīng)。
晶豪科前三季營(yíng)收179.9億元,年增65.4%。 上半年稅后純益19.21億元,年增2.28倍,每股純益6.92元。
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