近日，中國老牌存儲模組廠商昱聯(lián)（英文ASint）宣布旗下DDR5工業(yè)級模組（CSM系列）將采用三星10納米級工藝和極紫外光刻(EUV) 技術(shù)打造。容量分別是16GB和32GB，起跳頻率高達6400兆（Mb/s）。

據(jù)官方數(shù)據(jù)顯示，第五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器（DDR5）具有最高達7200百萬比特/秒(Mbps)的卓越傳輸速度，有效處理對更大、更復雜數(shù)據(jù)工作量不斷增長的需求。與第四代雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存(DDR4)相比，DDR5的性能提升了一倍多，突發(fā)長度從8翻倍至16，存儲庫數(shù)量從16翻倍至32。令人驚嘆的性能提升了大數(shù)據(jù)處理的天花板，同時無縫處理8K內(nèi)容。

另外，DDR5芯片容量從16千兆比特(Gb)躍升至32Gb。芯片容量翻倍意味著一個模塊可提供最高達512GB的容量，以流暢處理巨大的同時工作負載，具有未來創(chuàng)新的可擴展性。

最重要的一點是，不論是行業(yè)級還是消費級，應(yīng)用于DDR5芯片上的ODECC（片上糾錯碼）技術(shù)幫助保持安全穩(wěn)定的數(shù)據(jù)可靠性，可以完美發(fā)揮DDR5強大的性能。ODECC技術(shù)幾乎消除了單比特錯誤，從而大幅提高了模組可靠性，即使在行業(yè)大數(shù)據(jù)的繁重需求下也能保證不出錯，真正實現(xiàn)了永不藍屏。

通過提高性能和降低功耗，DDR5節(jié)能性比DDR4提升30%。假如將全球數(shù)據(jù)中心的DDR4替換成DDR5,每年可節(jié)省多達1億千瓦時(TWh) 的電力。DDR5模組的電源管理集成電路(PMIC)進一步提高了電源管理效率和供電穩(wěn)定性，這是響應(yīng)中國減碳減排，實現(xiàn)環(huán)境全面可持續(xù)發(fā)展的選擇。

關(guān)于昱聯(lián)：昱聯(lián)品牌（英文ASint）創(chuàng)立于中國臺灣，曾經(jīng)由知名芯片組品牌SIS以及華碩集團入股，歷經(jīng)10余年市場沉淀，已擁有志同道合的上下游供應(yīng)伙伴。昱聯(lián)內(nèi)存模組分為以下系列：CSM行業(yè)系列，S圣殿精靈消費系列，PRIME自帶散熱片金屬大師系列，RGB PRIME燈條高頻系列等，昱聯(lián)的景愿是為行業(yè)客戶提供兼容性強品質(zhì)穩(wěn)定的存儲產(chǎn)品，為客戶的整機應(yīng)用提升價值