近日，Xperi公司宣布，該公司已與長江存儲簽署了一項許可協(xié)議，該協(xié)議包括獲得與Xperi的DBI混合鍵合技術(shù)相關(guān)的半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)的基礎(chǔ)組合，以用于其3D NAND產(chǎn)品之中。

△Source：Xperi網(wǎng)站截圖

Xperi全資子公司Invensas總裁Craig Mitchell表示，Xperi的DBI混合鍵合是當前和未來幾代高性能、大容量3D NAND閃存的關(guān)鍵技術(shù)，Craig Mitchell指出，期待擴大與長江存儲的合作關(guān)系。

據(jù)Xperi介紹，混合鍵合3D集成技術(shù)越來越多地用于各種半導(dǎo)體器件，例如傳感器、存儲器和邏輯器件，以增強性能和功能，同時減小尺寸和成本。在3D NAND應(yīng)用中，DBI混合鍵合技術(shù)能夠分解存儲器陣列和邏輯電路，從而為每個應(yīng)用提供最佳的晶圓工藝節(jié)點。

不過，作為此次合作的簽約方之一，長江存儲目前并未在其官方平臺對此消息進行表態(tài)。

官方資料顯示，長江存儲是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，主要為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動通信、消費數(shù)碼、計算機、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)