6月22日，證監(jiān)會(huì)官微發(fā)布消息，證監(jiān)會(huì)按法定程序同意普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“普冉半導(dǎo)體”）科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊(cè)，普冉半導(dǎo)體及其承銷商將分別與上海證券交易所協(xié)商確定發(fā)行日程，并陸續(xù)刊登招股文件。

這意味著普冉半導(dǎo)體已經(jīng)成功闖關(guān)科創(chuàng)板，即將登陸資本市場(chǎng)的舞臺(tái)，A股存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)也將再添新兵。

營(yíng)收凈利實(shí)現(xiàn)雙增長(zhǎng)

普冉半導(dǎo)體主營(yíng)業(yè)務(wù)是非易失性存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)與銷售，目前主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類非易失性存儲(chǔ)器芯片，屬于通用型芯片，可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、家電、工業(yè)控制、汽車電子、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

據(jù)悉，普冉半導(dǎo)體的主要經(jīng)營(yíng)模式為Fabless模式，專注于集成電路的設(shè)計(jì)和銷售環(huán)節(jié)，其余環(huán)節(jié)委托給晶圓制造企業(yè)、晶圓測(cè)試企業(yè)和芯片封裝測(cè)試企業(yè)代工完成。其中晶圓代工主要委托華力和中芯國(guó)際進(jìn)行，公司的晶圓測(cè)試和封裝測(cè)試主要委托紫光宏茂、上海偉測(cè)和中芯長(zhǎng)電、華天科技、通富微電等廠商進(jìn)行。

經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)方面，注冊(cè)稿顯示，近年來(lái)，普冉半導(dǎo)體的營(yíng)收和利潤(rùn)均實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)，2018年-2020年，分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入1.78億元、3.63億元、7.17億元，收入三年復(fù)合增長(zhǎng)率為100.61%，分別實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)1337.37萬(wàn)元、3232.08萬(wàn)元、8603.95萬(wàn)元，凈利潤(rùn)三年復(fù)合增長(zhǎng)率153.64%。

普冉半導(dǎo)體在業(yè)績(jī)上的突飛猛進(jìn)與其優(yōu)質(zhì)客戶資源的加持和在研發(fā)領(lǐng)域的持續(xù)投入密不可分。

客戶資源方面，普冉半導(dǎo)體在NOR Flash領(lǐng)域已經(jīng)和匯頂科技、恒玄科技、杰理科技、中科藍(lán)訊等主控原廠，深天馬、合力泰、華星光電等手機(jī)屏幕廠商建立了穩(wěn)定的業(yè)務(wù)合作關(guān)系，產(chǎn)品應(yīng)用于三星、OPPO、vivo、華為、小米、聯(lián)想、惠普等品牌廠商。

同時(shí)，該企業(yè)也在EEPROM領(lǐng)域和舜宇、歐菲光、丘鈦微電子、信利、合力泰、三星電機(jī)、三贏興、盛泰等行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的手機(jī)攝像頭模組廠商以及聞泰科技、華勤通訊、龍旗科技等ODM廠商形成了穩(wěn)定的合作關(guān)系，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于OPPO、vivo、華為、小米、美的等知名廠商的終端產(chǎn)品中。

研發(fā)投入方面，注冊(cè)稿顯示，2018-2020年，普冉半導(dǎo)體的研發(fā)投入分別為1,345.79萬(wàn)元、3,114.11萬(wàn)元和4,597.15萬(wàn)元，累計(jì)研發(fā)投入金額占報(bào)告期公司累計(jì)營(yíng)業(yè)收入比例為7.20%，研發(fā)投入占比較高。

募資3.45億元加碼主營(yíng)業(yè)務(wù)

據(jù)悉，此次普冉半導(dǎo)體此次擬募資3.45億元，將投向于閃存芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、EEPROM芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目和總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目。

普冉半導(dǎo)體表示，閃存芯片的升級(jí)研發(fā)是完善公司在閃存芯片產(chǎn)品布局的必然選擇；EEPROM芯片的更新?lián)Q代將有利于鞏固公司在細(xì)分領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目有助于公司在現(xiàn)有技術(shù)儲(chǔ)備的基礎(chǔ)上突破原有存儲(chǔ)器芯片性能并持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化。

未來(lái)，普冉半導(dǎo)體將專注于集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的科技創(chuàng)新，圍繞非易失存儲(chǔ)器領(lǐng)域，以NORFlash和EEPROM為核心，進(jìn)一步加強(qiáng)在消費(fèi)類產(chǎn)品市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)拓展并長(zhǎng)期耕耘工業(yè)和車載市場(chǎng)、加大研發(fā)投入和研發(fā)團(tuán)隊(duì)建設(shè)，延伸以存儲(chǔ)器為核心的產(chǎn)品線，形成協(xié)同效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)快速健康的發(fā)展。

至于具體規(guī)劃，注冊(cè)稿顯示，根據(jù)募集資金投資項(xiàng)目的安排，普冉半導(dǎo)體擬在現(xiàn)有存儲(chǔ)產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，對(duì)原有NOR Flash和EEPROM芯片進(jìn)行升級(jí)。

其中NOR Flash升級(jí)到40nm制程，產(chǎn)品容量提升到256Mbit。同時(shí)規(guī)劃更新一代的技術(shù)，作為下一節(jié)點(diǎn)的技術(shù)儲(chǔ)備；EEPROM則升級(jí)到95nm及以下制程等，產(chǎn)品容量提升到2Mbit和4Mbit；此外，還將關(guān)注新型存儲(chǔ)器領(lǐng)域在特定市場(chǎng)的應(yīng)用，擬經(jīng)過慎重評(píng)估后展開相應(yīng)的原型產(chǎn)品開發(fā)，逐步切入細(xì)分市場(chǎng)。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)