就在日前傳出臺(tái)積電正思考在日本獨(dú)資興建并營運(yùn)晶圓廠之后，美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）執(zhí)行長Sanjay Mehrotra近期接受《日本經(jīng)濟(jì)新聞》采訪時(shí)也表示，美光將與日本政府合作，透過擴(kuò)大在日本的投資，并且與當(dāng)?shù)卦O(shè)備和材料公司合作，加強(qiáng)日本的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。而針對(duì)此一計(jì)劃，韓媒稱將可能影響韓國存儲(chǔ)器廠商的發(fā)展。

報(bào)導(dǎo)指出，Sanjay Mehrotra表示，美光愿意與日本公司合作開發(fā)第5代10納米級(jí)的DRAM生產(chǎn)技術(shù)。事實(shí)上，美光已經(jīng)于6月初的Computex 2021活動(dòng)中宣布，已開始量產(chǎn)全球首批第4代10納米級(jí)的DRAM。

目前，韓國的三星和SK海力士兩家領(lǐng)先全球的存儲(chǔ)器大廠在全球DRAM市場上的排名分別位列第一和第二。但兩家公司仍專注第3代10納米級(jí)DRAM生產(chǎn)。因此，在技術(shù)領(lǐng)先的情況下，美光已經(jīng)開始在市場占有率方面逐步威脅韓國存儲(chǔ)器廠商。

此外，美光還看上全球NAND Flash快閃存儲(chǔ)器全球市場占有率第二的日本鎧俠（Kioxia）。根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢資料顯示，三星電子當(dāng)前以33.5%的市占率位居NAND Flash快閃存儲(chǔ)器全球市場的龍頭，而美光以11.1%的市占率排名第5。若美光成功收購市占率達(dá)18.7%的鎧俠，美光將進(jìn)一步威脅三星。

報(bào)導(dǎo)還強(qiáng)調(diào)，除了存儲(chǔ)器廠商美光之外，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電目前也傳出將在日本進(jìn)行一系列的投資計(jì)劃，以加強(qiáng)與美國和日本之間的合作關(guān)系。臺(tái)積電在2月份宣布將在日本筑波市建立半導(dǎo)體材料的研發(fā)工廠后，日前日媒報(bào)導(dǎo)也表示，臺(tái)積電計(jì)劃在日本建立一座獨(dú)資的晶圓廠。

相較臺(tái)積電近期已在美國亞利桑那州開始動(dòng)工興建先進(jìn)制程晶圓廠，并計(jì)劃在未來3年投資1,000億美元，用以提高晶圓廠的技術(shù)與生產(chǎn)力。韓國三星則計(jì)劃投資170億美元擴(kuò)大美國德州晶圓廠，并將對(duì)韓國平澤市P3晶圓廠產(chǎn)線進(jìn)行新投資。不過三星并未透露新投資的任何細(xì)節(jié)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)