美光近日正式量產(chǎn)1α制程LPDDR4x DRAM，并正向AMD和Acer供應(yīng)1α制程DRAM，還宣布開始量產(chǎn)176層堆棧NAND Flash快閃存儲(chǔ)器，震撼DRAM市占率領(lǐng)先全球的韓國(guó)業(yè)界。

據(jù)韓國(guó)媒體《KoreaBusiness》報(bào)道，美光1α制程DRAM相當(dāng)于韓國(guó)三星14納米制程DRAM。目前美光是世界第一家量產(chǎn)14納米制程DRAM的公司。2020年11月美光宣布開始量產(chǎn)176層堆棧NAND Flash快閃存儲(chǔ)器后，美光不論DRAM還是NAND Flash快閃存儲(chǔ)器生產(chǎn)技術(shù)都超越韓國(guó)公司。

韓國(guó)一位市場(chǎng)人士表示，由于核心制程技術(shù)不同，很難直接將美光技術(shù)與三星和SK 海力士技術(shù)比較，令人驚訝的是，美光在沒有極紫外線曝光設(shè)備 (EUV) 輔助下，縮小了與兩家韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠的差距。

現(xiàn)階段三星尚未開始量產(chǎn)176層堆棧的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器。三星表示，2021下半年可量產(chǎn)176層堆棧NAND Flash快閃存儲(chǔ)器。但市場(chǎng)人士認(rèn)為，量產(chǎn)時(shí)間實(shí)際上會(huì)到2021年底。預(yù)計(jì)三星量產(chǎn)14納米制程DRAM的時(shí)間也會(huì)2021年底開始。

韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)非常關(guān)注美光不使用EUV曝光設(shè)備成功開發(fā)出14納米制程DRAM，因這是半導(dǎo)體制程微縮的關(guān)鍵。

市場(chǎng)人士也強(qiáng)調(diào)，因ASML的EUV曝光設(shè)備每部造價(jià)高達(dá)1.5 億美元，生產(chǎn)的存儲(chǔ)器會(huì)有較高成本。但美光采用DUV曝光設(shè)備就能生產(chǎn)存儲(chǔ)器產(chǎn)品，產(chǎn)品成本競(jìng)爭(zhēng)力將更具優(yōu)勢(shì)。

仍有韓國(guó)專家強(qiáng)調(diào)，美光1α制程DRAM和176層堆棧NAND Flash快閃存儲(chǔ)器尚未與三星等存儲(chǔ)器廠商產(chǎn)品比較是否有相同性能，美光能對(duì)兩家韓國(guó)廠商造成多大威脅，有待觀察。

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