5月7日消息，由于質(zhì)疑競爭對手的技術進展，三星決定公開自家DRAM產(chǎn)品的電路線寬，以顯示三星在該領域的技術領先地位。據(jù)韓媒 BusinessKorea 報導，三星準備打破DRAM業(yè)界傳統(tǒng)，將公布自家DRAM產(chǎn)品電路線寬。

上述報導指出，DRAM 電路線寬被業(yè)界認定為衡量存儲器公司技術能力的重要指標，DRAM的電路線寬越窄，其功率效率就越高。 因此，過去DRAM業(yè)界的傳統(tǒng)就是不明確公開相關產(chǎn)品的確切電路線寬。 

并且，隨著DRAM制程技術在2016年進入10納米級制程后，DRAM制造商也普遍達成共識，通過不公開相關參數(shù)來避免過度競爭。 原因主要在于進入到10納米級制程后，電路線寬每縮小1納米，需要2到3年的研發(fā)投入，如此長的研發(fā)時間意味著以技術議題為營銷賣點的意義并不大。

基于以上因素，在過去的5到6年間，全球DRAM廠商事實上從未確實的發(fā)表過DRAM產(chǎn)品的電路線寬數(shù)字。 這也是DRAM產(chǎn)業(yè)普遍將2016年推出的10納米級制程歸類為第一代1x納米制程，將2018年推出的10納米級制程歸類為第二代1y納米制程，以及在同一年推出的10納米級制程歸類為第三代1z納米制程，之后于2021年初問世的第四代10納米級制程，將其稱之為1a納米制程。

報導強調(diào)，就因為DRAM廠商普遍將10納米級制程以1x納米制程、1y納米制程、1z納米制程等來稱呼，所以很難確切比較如三星的1z納米制程DRAM和美光的1z納米制程DRAM在電路線寬上的差異。為此，三星決定放棄傳統(tǒng)的模糊化表述，預計將公布旗下各 10 納米級制程 DRAM 產(chǎn)品電路線寬。除了揭示三星對自身制程技術的信心外，這似乎也預示著這一領域的技術競爭將再次激烈化。

三星表示，將在2021年下半年量產(chǎn)1a納米制程DRAM，該產(chǎn)品的電路線寬為14納米。 事實上，三星是全球第一家在 2016 年初開始量產(chǎn)第一代 1x 納米制程 DRAM 的公司，量產(chǎn)時間領先SK 海力士和美光大約半年到1年。 到了2019年開發(fā)出1z納米制程DRAM前，即使三星沒有公布其DRAM電路線寬，卻也無人否認三星在DRAM產(chǎn)業(yè)中處于技術領先地位。

領先局面在第四代1a納米制程DRAM產(chǎn)品上被打破。 全球第三大DRAM制造商美光在2021年1月宣布，已開發(fā)出全球首個1a納米制程DRAM，且已投入量產(chǎn)，這使得美光在技術上一口氣超越了此前的龍頭三星。 面對這一情況，三星主管DRAM的DS業(yè)務高層表示了憂心與不滿，他認為三星過去生產(chǎn)的1x、1y和1z納米制程DRAM的性能遠遠優(yōu)于競爭對手，如今在技術上被超越是很大的沖擊，并且對美光宣稱的1a納米制程DRAM的實際情況表示懷疑。

報導強調(diào)，三星不僅懷疑美光夸大其1a納米制程DRAM的效能，而且，由于至今未看到美光發(fā)表相關產(chǎn)品的照片，也質(zhì)疑其1a納米制程DRAM是否已真的可進行大規(guī)模量產(chǎn)。 因此，三星決定明確公布其下各代10納米級制程DRAM的電路線寬數(shù)字。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)