4月25日消息，據(jù)鉅亨網(wǎng)報(bào)道，南亞科看好今年DRAM市場(chǎng)前景，將加速開(kāi)發(fā)10 納米制程技術(shù)與DDR5 產(chǎn)品，同時(shí)規(guī)劃新廠擴(kuò)建。

南亞科表示，今年來(lái)自智能手機(jī)、服務(wù)器\數(shù)據(jù)中心的需求將穩(wěn)定成長(zhǎng)，而供給端的增長(zhǎng)幅度有限，綜合來(lái)看，需求的成長(zhǎng)將超過(guò)供應(yīng)端，看好整體產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。

南亞科董事長(zhǎng)吳嘉昭指出，今年預(yù)期DRAM 市場(chǎng)售價(jià)止跌回升，整體產(chǎn)業(yè)可望走出谷底，并邁向成長(zhǎng)。南亞科將投入更多的研發(fā)資源，加速開(kāi)發(fā)10 納米級(jí)制程技術(shù)與DDR5 產(chǎn)品，同時(shí)規(guī)劃新廠擴(kuò)建，未來(lái)將以符合市場(chǎng)需求為目標(biāo)，逐步增加產(chǎn)出。

對(duì)于今年?duì)I運(yùn)計(jì)劃，南亞科表示，1A 制程試產(chǎn)線已完成建置，今年將持續(xù)致力產(chǎn)品試產(chǎn)及良率提升，前導(dǎo)產(chǎn)品8Gb DDR4 預(yù)計(jì)下半年開(kāi)始送樣認(rèn)證及小量生產(chǎn)；第二顆為下世代DDR5，正在設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)下半年開(kāi)始試產(chǎn)。今年也將同步加速1B 制程技術(shù)及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)程，預(yù)計(jì)第三季開(kāi)始試產(chǎn)首顆產(chǎn)品。 

除10 納米級(jí)產(chǎn)品線外，南亞科也將持續(xù)優(yōu)化20納米產(chǎn)品組合，除增加DDR4 最高規(guī)格3200Mbps 在服務(wù)器及PC OEM 客戶認(rèn)證，提升銷售量外，也將加速20 納米低功率產(chǎn)品推廣。LPDDR4X 4267Mbps 最高規(guī)格產(chǎn)品正認(rèn)證中，未來(lái)目標(biāo)市場(chǎng)包括便攜型產(chǎn)品、汽車及工業(yè)等應(yīng)用。 

此前報(bào)道，南亞科已規(guī)劃建設(shè)一座雙層無(wú)塵室12寸先進(jìn)晶圓廠，將采用南亞科自主研發(fā)的10納米級(jí)制程技術(shù)生產(chǎn)DRAM芯片，及規(guī)劃建置EUV極紫外光生產(chǎn)技術(shù)，月產(chǎn)能約為45,000片晶圓。新廠計(jì)劃于2021年底動(dòng)工，2023年底完工，2024年開(kāi)始第一階段量產(chǎn)

上述報(bào)道稱，為應(yīng)對(duì)1A制程技術(shù)的量產(chǎn)、新廠房興建及一般部門資本支出，南亞科今年資本支出上限預(yù)計(jì)為新臺(tái)幣156億元。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)