2021是DDR內(nèi)存技術(shù)升級換代的裂變時代，也被稱為DDR5商用元年。自JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式發(fā)布DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范后，國內(nèi)外各大模組廠商競速開啟探索模式并布局DDR5。

為滿足行業(yè)客戶及廣大用戶對DDR5產(chǎn)品應(yīng)用的期待，以及為存儲行業(yè)應(yīng)用提供更多可能性，金泰克于今日（4月9日）正式發(fā)布DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品。金泰克DDR5內(nèi)存產(chǎn)品的面世，為對設(shè)備性能有剛需的行業(yè)帶來了更多可能，同時也為終端用戶帶來更流暢的產(chǎn)品體驗。

產(chǎn)品信息

為追求極致體驗用戶量身打造

主要應(yīng)用

金泰克DDR5系列內(nèi)存模組可廣泛應(yīng)用于5G、大數(shù)據(jù)等對性能有剛需的行業(yè)領(lǐng)域，廣泛賦能小型工作站、安防、遠(yuǎn)程醫(yī)療、高端游戲、云存儲、高端計算機等。

產(chǎn)品特性

（DDR5和DDR4對比）

大容量：

DDR4為4GB的單片芯片密度，而DDR5的內(nèi)存顆粒容量會從16GB起跳，未來可達(dá)64GB，16GB核心容量意味著一顆核心就有2GB容量，內(nèi)存單條單面容量輕松做到16GB，單條雙面容量做到32GB，如果堆更多核心，那么就會有單條容量128GB的DDR5內(nèi)存出現(xiàn)。

高速率：

DDR5從3.2Gbps起跳，到6.6Gbps，起點即是DDR4的速度峰值。DDR5最高可擴展到8.4Gbps，預(yù)取數(shù)據(jù)能力從DDR4的8n上升為 16n，最高速率可達(dá)6400Mbps。

低能耗：

采用最新工藝DDR5的VPP降低到 1.8V，VDDQ和VDD降低到1.1V，功耗整體下降，性能提升了85%。這是幾代DDR電壓總線以來下降比例最少的一次，說明其對電源完整性和信號完整性的設(shè)計要求越來越嚴(yán)苛。

產(chǎn)品優(yōu)勢

· 端到端接收模式的強化，信號傳輸更純凈

在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能，增加CA、CS類信號也使用了ODT，采用片內(nèi)終結(jié)。因此，金泰克DDR5內(nèi)存可進(jìn)一步減少信號脈沖的反射干擾效應(yīng)。

· 全新的PMIC電源架構(gòu)，采用VDD/VDDQ/VPP/VDDSPD/VIO供電

4.5V-5.5V輸入，輸出VPP 1.8V ，VDD 1.1V，VDDQ 1.1V，VDDSPD 1.8V ，VIO 1.0V，電源管理芯片通過I2C協(xié)議配置的，調(diào)節(jié)電源紋波、電壓和上下電時序，可以達(dá)到穩(wěn)定和更加省電的效果。

· 內(nèi)置糾錯碼ECC，讀寫更穩(wěn)定

為進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性，金泰克DDR5內(nèi)存條透過置入糾錯碼ECC功能，實現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯能力，在緩解系統(tǒng)錯誤校正負(fù)擔(dān)的同時充分利用DRAM讀寫的高效機制，使讀寫更穩(wěn)定。

· 自研高速PCB板，速率穩(wěn)定有保障

由于DDR5的速率相較于DDR4提升了兩倍，金泰克研發(fā)設(shè)計了更高速的PCB板來兼容DDR5顆粒，新架構(gòu)中采用了兩個完全獨立的32位通道，提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。

結(jié)語：

作為一家專注數(shù)據(jù)存儲20年的廠家，金泰克已累計獲得專利200余項，涵蓋產(chǎn)品研發(fā)、制造及品控的各個環(huán)節(jié)，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和自主品牌產(chǎn)品營銷于一體的專業(yè)存儲方案提供商。金泰克始終以“創(chuàng)新”作為自身的自驅(qū)力及源動力，堅持在研發(fā)上“逐項突破、協(xié)同攻關(guān)”，在產(chǎn)品上“深入打磨產(chǎn)品質(zhì)量與服務(wù)”，向客戶、向市場推出更多高性能、高穩(wěn)定性的產(chǎn)品。

未來，金泰克將持續(xù)提供更多的DDR5產(chǎn)品規(guī)格和技術(shù)服務(wù)，投入到更多的應(yīng)用場景中，為各行各業(yè)客戶持續(xù)賦能！讓我們拭目以待！