近日，SK海力士CEO李錫熙在不同時間點對存儲器產(chǎn)業(yè)的未來圖景進行了分析。他尤其強調(diào)了，未來數(shù)年超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的數(shù)量增長，將對存儲器需求形成的帶動作用。

彭博社22日報導，SK海力士CEO李錫熙（Lee Seok-hee）在21日演講中提到，5G網(wǎng)絡(luò)、人工智能、自動駕駛等新科技會讓數(shù)據(jù)量和帶寬出現(xiàn)指數(shù)性成長。 到2025年前，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心（hyperscale datacenter）數(shù)量將增加兩倍至1060家。 而此類數(shù)據(jù)中心是社群網(wǎng)站、網(wǎng)絡(luò)游戲、智能工廠的基礎(chǔ)。 他說：“結(jié)構(gòu)性和非結(jié)構(gòu)性數(shù)據(jù)的總量，預料將呈指數(shù)成長，看看每家數(shù)據(jù)中心DRAM和NAND flash容量需求，數(shù)字很驚人。”

而據(jù)韓聯(lián)社報導，李錫熙22日亦在研討會上分析了存儲器產(chǎn)業(yè)的未來方向。他表示，數(shù)字轉(zhuǎn)型時代，內(nèi)存的作用將進一步放大，對存儲器穩(wěn)定性的需求也會提高。未來十年存儲器產(chǎn)業(yè)將面臨挑戰(zhàn)，需要有新技術(shù)，才能發(fā)展出10納米以下DRAM制程，并讓NAND堆疊層數(shù)超過600層。李錫熙介紹，SK海力士已經(jīng)采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)，并和伙伴研發(fā)先進光阻材料。

此外，李錫熙預測，十年后內(nèi)存將與CPU結(jié)合。 為了克服內(nèi)存表現(xiàn)的限制，未來存儲器會和邏輯芯片結(jié)合，DRAM將加入一些 CPU 運算功能。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)