近日，鎧俠（Kioxia）和西數(shù)（Western Digital）宣布，雙方已經(jīng)合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。新聞稿指出，這是兩家公司迄今為止最高密度和最先進(jìn)的3D閃存技術(shù)。

圖片來(lái)源：鎧俠官網(wǎng)截圖

官網(wǎng)消息顯示，第六代3D閃存具有超越傳統(tǒng)的先進(jìn)架構(gòu)，與第五代技術(shù)相比，橫向單元陣列密度提高了10%。與112層堆疊技術(shù)相比，這種橫向縮放的進(jìn)步與162層堆疊的垂直存儲(chǔ)器相結(jié)合，使芯片尺寸減小了40％，優(yōu)化了成本。

同時(shí)，鎧俠和西數(shù)團(tuán)隊(duì)還采用了陣列CMOS電路布局和四路同時(shí)操作，與上一代產(chǎn)品相比，這兩種技術(shù)的應(yīng)用使性能提高了近2.4倍，讀取延遲提高了10％。I/O性能也提高了66％，從而使下一代接口能夠滿足對(duì)更快的傳輸速率不斷增長(zhǎng)的需求。

總體而言，與上一代產(chǎn)品相比，新的3D NAND降低了每單位的成本，并使每個(gè)晶圓的存儲(chǔ)數(shù)量增加了70％。

封面圖片來(lái)源：鎧俠