序:
最近公司給配置了一臺筆記本戴爾 vostro 3590型號,配置來說馬馬虎虎,酷睿i7-10510U,8G內(nèi)存,AMD Radeon610 Series顯卡,固態(tài)硬盤256G,其他配置不說也罷,日常使用總感覺有些不如意, 看著標(biāo)配的8G內(nèi)存條,想想再入手一個8G內(nèi)存條,組成雙通道應(yīng)該會有不錯的提升。
在挑選內(nèi)存條的時候,看了不少品牌、比如常見的三星、威剛、金士頓、十銓科技、英睿達(dá)等,有點(diǎn)挑花了眼的節(jié)奏,好在還是瀏覽了社區(qū)的帖子,社區(qū)大佬提供了不少建議和選擇,最終選擇了韓國品牌KLEVV科賦DDR4 3200 8G內(nèi)存條下單,之所以選擇它,看的是其使用的多半是海力士CJR或DJR顆粒,具有后期超頻的潛力,自己想DIY超頻一下,也能滿足需要,這款內(nèi)存條工作電壓為1.2V,時序?yàn)镃L22-22-22,頻率為3200MHz。看看組成雙通道的體驗(yàn)如何。
筆記本:

戴爾 vostro 系列筆記本,顏值來說還不錯,A面塑料工程材質(zhì),戴爾品牌logo正中間,辨識度非常高,表面經(jīng)過細(xì)微處理,觸摸手感還可以。

筆記本D面非常簡單,一體式設(shè)計(jì),長條大片散熱孔、產(chǎn)品銘牌信息標(biāo)簽、vostro型號logo正中間,同樣具有辨識度。

筆記本屏幕是15.6英寸屏幕、鍵盤提供有數(shù)字鍵盤位、表面經(jīng)過凸起紋路點(diǎn)綴,耐磨耐臟表現(xiàn)不錯。
筆記本簡單介紹到這里,筆記本整體認(rèn)知到此結(jié)束,我們看看內(nèi)存條。
內(nèi)存條:

科賦DDR 3200 8G內(nèi)存條作為標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存條,在包裝上來看比較簡單,塑料保護(hù)殼,外側(cè)貼有宣傳信息,品牌logo加持,辨識度非常高。

包裝背側(cè)同樣比較簡單,產(chǎn)品信息和宣傳信息共存。

科賦 DDR4、3200MHz是我關(guān)注的信息點(diǎn),等測試時候再看看真實(shí)情況如何。

打開包裝來看,內(nèi)存條采用黑色PCB板,加持源自SK Hynix的廠選可靠芯片,兼容性高,看標(biāo)簽提示信息、CL22-22-22,8GB、1.2V,MADE IN TAIWAN。

內(nèi)存條另一側(cè)看,同樣貼有標(biāo)簽,正品行貨,支持二維碼檢測真?zhèn)危覜]有去查詢,在官方店購買的,那自然是正品。

從內(nèi)存條照片放大來看,用的是DJR內(nèi)存顆粒,品質(zhì)做工不錯。

標(biāo)簽檢驗(yàn)貼紙,可以進(jìn)行真?zhèn)螜z測
拆卸筆記本,其實(shí)很簡單的,這個就不詳細(xì)說步驟了。

拆卸筆記本底部幾顆螺絲,用卡片撬開底板,就可以打開筆記本,看內(nèi)部布局來說,戴爾的做工還OK的,畢竟是品牌大廠。

筆記本D面是塑料底殼,不過內(nèi)部貼有銅制散熱片在風(fēng)扇部位、藍(lán)色兩條緩沖墊可以幫助電池穩(wěn)定,其他并無特殊的地方。

內(nèi)存條插槽位置,2個內(nèi)存條,最高支持32G內(nèi)存條。

拆開電腦后,比較一下科賦內(nèi)存條和三星內(nèi)存條兩根有啥不同的地方??瀑x內(nèi)存條的面板顯得PCB板顯得更好看一點(diǎn),純色設(shè)計(jì),紋路設(shè)計(jì)不明顯,觀感好一點(diǎn)。三星的設(shè)計(jì)略顯簡單。

內(nèi)存顆粒設(shè)計(jì)部位差不多,不過三星這個是2666MHz,科賦是3200MHz。


兩者之間的差別還是從測試上面來看看差距吧。
測試說明:

戴爾筆記本的硬件參數(shù)如圖所示,i7處理器,256G固態(tài)硬盤,戴爾主板等信息。
原裝三星內(nèi)存條測試:

魯大師測試內(nèi)存信息。



CPU-Z測試SPD、內(nèi)存、處理器如圖,因?yàn)槭切屡浒l(fā)筆記本,三星原裝內(nèi)存條是DDR426662019年出廠的產(chǎn)品,也算是基本滿足需求。

跑分測試一下,內(nèi)存跑分73568分,綜合性能分503181分。

通過TechPowerUP MemTest64測試內(nèi)存故障檢測,整個效果來說還不錯,雖然簡單測試3次。

通過AIDA64測試讀寫效果,看圖所示,整體效果并不太讓人滿意。
科賦內(nèi)存條測試:

科賦內(nèi)存條安裝后,硬件參數(shù)如圖,內(nèi)存條信息:科賦內(nèi)存條。

硬件參數(shù)如圖。

通過綜合性能得分來看530884分,相比三星原裝2666MHz 8G內(nèi)存條測試時候503181分,多3萬多分,科賦內(nèi)存條跑分74095分,三星內(nèi)存條跑分73568分,雖然升級并不多,但綜合性能體驗(yàn)要好不少。


通過CPU-Z軟件測試信息,科賦內(nèi)存條比較新2020年24周產(chǎn)品,信息簡單。

采用TechPowerUP MemTest64軟件測試,測試8次,故障檢測沒有任何問題,也懶得繼續(xù)測試下去了。

AIDA64測試,科賦內(nèi)存條的表現(xiàn)提升不少,讀寫速度、復(fù)制速度等表現(xiàn)明顯比三星2666MHz高不少,3200MHz的表現(xiàn)不俗。
雙通道測試:

目前來看,科賦內(nèi)存條為DDR43200MHz8G,三星內(nèi)存條為DDR42666MHz8G,兩者雖然頻率不一樣,但基于都為DDR4,使用起來并沒有出現(xiàn)其他異常情況。拆開電腦安裝上2條內(nèi)存條。

戴爾這款電腦最大支持32G內(nèi)存,目前兩者8G內(nèi)存條,組成雙通道16G,看測試表現(xiàn)如何吧。

通過魯大師查看硬件參數(shù),內(nèi)存16GB。

魯大師查看內(nèi)存信息,兩個內(nèi)存條簡單信息如圖。



CPU-Z軟件查看內(nèi)存和SPD信息,兼容性是沒有問題的。

采用TechPowerUP MemTest64軟件測試,測試了6次,沒拍照片,故障檢測沒有任何問題。

看綜合評分情況,雙通道16GB內(nèi)存,在測試表現(xiàn)上表現(xiàn)優(yōu)秀,已經(jīng)達(dá)到了140074分,看圖形表,內(nèi)存表現(xiàn)最好,顯卡最次。

AIDA64檢測,雙通道的表現(xiàn)實(shí)際增加不少,讀取速度、復(fù)制速度等,數(shù)值增加明顯,大內(nèi)存對于日常使用的表現(xiàn)提升明顯,建議大家還是考慮多增加個內(nèi)存條。

采用AIDA64查看內(nèi)存信息。

至于雙通道大內(nèi)存的優(yōu)勢來說,其實(shí)最大的體驗(yàn)還是要從實(shí)際操作電腦才能體現(xiàn)出來,比如連續(xù)打開多個網(wǎng)頁,單通道和雙通道的表現(xiàn)來說,差別還是很大的。
總結(jié):
其實(shí)作為我來說,配備的電腦就是日常辦公使用,我偶爾會玩下游戲,但并不沉溺,所以日常網(wǎng)頁瀏覽、文檔操作、小視頻、圖片編輯是我最常用的操作,從單條8GB內(nèi)存增加到雙條16GB內(nèi)存后,明顯提升的就是網(wǎng)頁打開速度、文檔反應(yīng)、圖文編輯等日常應(yīng)用中的體驗(yàn),要比以往速度更快,體驗(yàn)更好。
就當(dāng)前內(nèi)存現(xiàn)狀來說,越來越成為白菜價,如果你想提升一下電腦使用體驗(yàn),升級個內(nèi)存條和硬盤是非常有必要,更何況價格也十分美好。從科賦 DDR 3200MHz 8G內(nèi)存條使用來說,采用了基于海力士CJR顆粒,并且具有超頻潛力,黑色PCB板設(shè)計(jì)、兼容性高、可靠的SK Hynix芯片,更快的處理速度,不到200元的價格,給我感覺挺值。使用上來說雖然單條測試使用時間不多,但和原有三星內(nèi)存條組合16G雙通道,日常體驗(yàn)提升很明顯,比較滿意這一次的內(nèi)存裝機(jī)體驗(yàn)。