9月22日晚間，上交所受理東芯半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“東芯半導(dǎo)體”）科創(chuàng)板上市申請，公司擬募資7.5億元，海通證券為公司保薦機(jī)構(gòu)。

預(yù)計(jì)市值不低于30億元

據(jù)招股書申報(bào)稿顯示，東芯半導(dǎo)體是中國大陸領(lǐng)先的存儲芯片設(shè)計(jì)公司，聚焦中小容量通用型存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是中國大陸少數(shù)可以同時(shí)提供NAND、NOR、DRAM 等存儲芯片完整解決方案的公司，并能為優(yōu)質(zhì)客戶提供芯片定制開發(fā)服務(wù)。

憑借在工藝制程及性能等方面出色的表現(xiàn)，公司產(chǎn)品不僅在高通、博通、聯(lián)發(fā)科、中興微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技、紫光展銳等多家知名平臺廠商獲得認(rèn)證，同時(shí)已進(jìn)入三星電子、?？低?、歌爾股份、傳音控股、惠爾豐等國內(nèi)外知名客戶的供應(yīng)鏈體系，被廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備、移動終端等終端產(chǎn)品。

報(bào)告期內(nèi)，公司各年?duì)I業(yè)收入實(shí)現(xiàn)持續(xù)增長，2017年至2019年度，東芯半導(dǎo)體分別實(shí)現(xiàn)營收3.58億元、5.1億元、5.14億元，年復(fù)合增長率達(dá)到19.77%。由于公司尚未盈利，故東芯半導(dǎo)體選擇第四套上市標(biāo)準(zhǔn)，即“預(yù)計(jì)市值不低于人民幣30億元，且最近一年?duì)I業(yè)收入不低于人民幣3億元。”

募集資金強(qiáng)化主營業(yè)務(wù)

招股說明書顯示，東芯半導(dǎo)體本次擬募資7.5億元，正如此前報(bào)道，本次投資項(xiàng)目主要包括1xnm閃存產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、車規(guī)級閃存產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。

其中，1xnm閃存產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目計(jì)劃投入資金2.31億元，是在公司現(xiàn)有的存儲芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)能力的基礎(chǔ)上，開發(fā)生產(chǎn)1xnm NAND Flash芯片，通過購置設(shè)備、軟件系統(tǒng)以及培養(yǎng)優(yōu)秀的研發(fā)技術(shù)人員，提升芯片設(shè)計(jì)能力，推進(jìn)產(chǎn)品先進(jìn)制程，降低制造成本，提升芯片存儲容量，順應(yīng)存儲芯片行業(yè)發(fā)展方向，提升公司的盈利能力，提高產(chǎn)品競爭力。

據(jù)悉，該項(xiàng)目將采用Fabless的經(jīng)營模式，產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)委托晶圓代工廠和封測廠進(jìn)行加工，東芯半導(dǎo)體表示，公司與國內(nèi)外多家知名晶圓代工廠、封測廠建立穩(wěn)定可靠的合作關(guān)系，良好的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同為本次募投項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化提供了穩(wěn)定保證。

例如，東芯半導(dǎo)體與大陸最大的晶圓代工廠中芯國際在高可靠性、低功耗存儲芯片的特色工藝平臺上展開連續(xù)多年的深度技術(shù)合作；與全球最大的存儲芯片代工廠力積電建立了多年的緊密合作，已經(jīng)在力積電工藝產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先制程的主流存儲產(chǎn)品流片及穩(wěn)定量產(chǎn)。在封裝測試方面，公司已經(jīng)與紫光宏茂、南茂科技、AT Semicon 等知名封測廠建立穩(wěn)定的合作關(guān)系。

而車規(guī)級閃存產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬投資1.66億元，將憑借東芯半導(dǎo)體多年在存儲芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域豐富的經(jīng)驗(yàn)積累，在對產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性進(jìn)行深度研究的基礎(chǔ)上，擬進(jìn)一步布局汽車電子領(lǐng)域，通過購置先進(jìn)的研發(fā)設(shè)備、軟件系統(tǒng)以及培養(yǎng)優(yōu)秀的研發(fā)技術(shù)人員，增強(qiáng)車規(guī)級存儲芯片的設(shè)計(jì)研發(fā)能力，并實(shí)現(xiàn)車規(guī)級閃存產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)，進(jìn)一步豐富公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提高核心競爭力的同時(shí)推動公司產(chǎn)品向高性能、高附加值的方向發(fā)展。

東芯半導(dǎo)體表示，公司順應(yīng)智能汽車發(fā)展戰(zhàn)略，擬加大車規(guī)級閃存產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化力度，打造競爭新優(yōu)勢、開拓發(fā)展新空間，本項(xiàng)目旨在推進(jìn)車規(guī)級閃存芯片的研發(fā)和設(shè)計(jì)進(jìn)程，實(shí)現(xiàn)車規(guī)級閃存產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)，提升公司盈利能力和市場競爭力，通過本項(xiàng)目的實(shí)施，有利于提升車規(guī)級閃存芯片的國產(chǎn)化率。

研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目主要建設(shè)內(nèi)容包括研發(fā)中心的基建投資、先進(jìn)研發(fā)和實(shí)驗(yàn)設(shè)備的購置、專業(yè)技術(shù)人才的培養(yǎng)等。研發(fā)方向主要包括存算一體化芯片、LPDDR4x、DTR NAND Flash ，研發(fā)產(chǎn)品類型分別為功能性存儲芯片、易失性存儲芯片、以及非易失性存儲芯片。其中LPDDR4x將研發(fā)第四代低功耗DDR產(chǎn)品，實(shí)LPDDR系列產(chǎn)品升級迭代。

對于未來發(fā)展戰(zhàn)略，東芯半導(dǎo)體表示，未來三年的發(fā)展目標(biāo)是通過持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新、制程升級和性能迭代，保持公司現(xiàn)有產(chǎn)品的性能領(lǐng)先和競爭優(yōu)勢；憑借多種類存儲產(chǎn)品的優(yōu)勢，加大對物聯(lián)網(wǎng)、智能硬件應(yīng)用、汽車電子、醫(yī)療健康等新興領(lǐng)域的布局和開拓，提高公司產(chǎn)品的市場占有率；同時(shí)持續(xù)開拓國內(nèi)優(yōu)質(zhì)客戶，服務(wù)行業(yè)重要客戶，并開始有計(jì)劃、有步驟地拓展海外市場，提升公司在歐美的市場地位和影響力。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)