近日，在第八屆中國電子信息博覽會上，長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺上正式亮相展出。

Source：長江存儲

今年4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，而這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，據(jù)武漢自貿(mào)區(qū)此前報道，目前，該閃存已通過多家知名控制器企業(yè)在固態(tài)硬盤等終端存儲產(chǎn)品上的驗(yàn)證。

據(jù)了解，該款3D NAND閃存還創(chuàng)下了三個“最”：業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

2018年底，長江存儲第一代32層三維閃存芯片量產(chǎn)。2019年9月，首次基于Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存芯片量產(chǎn)。從64層量產(chǎn)至128層研發(fā)成功，僅相隔7個月。隨著自主Xtacking架構(gòu)全面升級至2.0，進(jìn)一步釋放了三維閃存的潛能，128層QLC閃存芯片才得以快速突破。

今年以來，長江存儲消息不斷，不僅宣布成功研發(fā)128層閃存產(chǎn)品；《科創(chuàng)板日報》此前還報道稱，從供應(yīng)鏈獲悉，長江存儲64層固態(tài)硬盤預(yù)計將于今年三季度上市，同時，二期廠房建設(shè)項目也已于今年6月20日開始動工，規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月。

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