歷經(jīng)一年多的景氣循環(huán)，存儲器大廠庫存去化有成，加上供給端新增產(chǎn)能有限，今年受惠 5G 時代來臨，供需將趨于平衡，甚至可望供不應求；隨著產(chǎn)業(yè)將迎來好年，臺廠今年也將陸續(xù)有新制程技術問世，搭上產(chǎn)業(yè)景氣步入上升循環(huán)的多頭行情。

過去一年多以來，DRAM 原廠去化庫存有成，除去年第 3 季旺季需求順利啟動外，市場新產(chǎn)能也有限，在 5G 需求帶動下，加上智能音箱、4K/8K 電視、ADAS (先進駕駛輔助系統(tǒng))、物聯(lián)網(wǎng)與AI等，也將持續(xù)推升 DRAM 需求，業(yè)者看好，今年 DRAM 供需將趨于穩(wěn)定，下半年甚至可能供不應求。

NAND Flash 除供應商庫存持續(xù)下降、供給成長也保守，同樣受惠 5G 需求驅(qū)動，加上筆電搭載 SSD 比重與容量顯著提升，數(shù)據(jù)中心客戶也積極備貨，且次世代游戲主機將搭載 SSD 規(guī)格提升等，均成為刺激 NAND Flash 需求增溫的動能，今年 NAND 價格可望走出去年雪崩慘況、穩(wěn)健向上，下半年也可能面臨供給短缺情況。

就在存儲器產(chǎn)業(yè)景氣將走出去年谷底之時，臺廠新制程技術也將在今年相繼問世。旺宏 (Macronix) 的NOR Flash 與 NAND Flash 產(chǎn)品線，一路走來均堅持自主研發(fā)技術，去年成功量產(chǎn) 19 納米 SLC NAND Flash，持續(xù)追趕 NAND Flash 大廠腳步，第一批產(chǎn)品 SLC NAND Flash 4GB 產(chǎn)品已出貨美國機上盒大客戶。

除 SLC NAND 外，旺宏今年下半年將量產(chǎn) 48 層 3D NAND Flash，屆時游戲機大客戶也可望采用，旺宏并預計于 2021 年量產(chǎn) 96 層 3D NAND、2022 年量產(chǎn) 192 層 3D NAND。

華邦電 (Winbond) 擁有工研院技轉背景，早期 DRAM 制程主要來自由英飛凌分割出來的奇夢達授權，但在奇夢達倒閉后，華邦電買下其 46 納米 DRAM 制程技術，成為其自主研發(fā)基礎，而后成功自主開發(fā) 38 納米技術，并于 2018 年第 4 季開始小幅量產(chǎn) 25 納米 DRAM 制程技術。

然而，2018 年第 3 季起，DRAM 產(chǎn)業(yè)受中美貿(mào)易摩擦影響，加上終端需求趨緩，且供給端集中在下半年開出，DRAM 價格在第 4 季終結連 9 季上揚態(tài)勢，而華邦電 25 納米制程量產(chǎn)的時間點，剛好碰上 DRAM 市況反轉。

受到 DRAM 市況不佳影響，華邦電 25 納米新制程轉進較為辛苦，客戶端驗證速度趨緩，價格壓力也更大，去年第 2 季 25 納米占整體 DRAM 營收占比僅約 2%，但第 3 季起受惠傳統(tǒng)旺季需求順利啟動，到第 4 季時占比已成長至 6%，惟受到 DRAM 價格下滑沖擊，加上 25 納米開發(fā)成本高，第 4 季單季營運因此轉虧。

不過，華邦電看好，25 納米制程良率本季將趨于穩(wěn)定，新制程轉進可望逐步步入軌道；而為下世代 20 納米技術做準備，華邦電也將在中科 12 吋廠進行新制程研發(fā)，新設備裝機導入預計今年第 2、3 季可望到位。

南亞科 (NANYA) 目前主力為 20 納米制程技術，來自美光授權，今年初并宣布成功開發(fā)出 10 納米級 DRAM 新型記憶胞技術，再度走回自主研發(fā)之路，第一代 10 納米級前導產(chǎn)品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5，涵蓋消費型、低功率與標準型產(chǎn)品，預計今年下半年陸續(xù)進入試產(chǎn)。

第二代 10 納米級制程技術已進入研發(fā)階段，預計 2022 年前試產(chǎn)，也會開發(fā)第三代 10 納米級制程技術，確立下世代 10 納米級 DRAM 將采用自主研發(fā)技術，不再走授權，擺脫動輒上百億元的授權金與專利費用。

雖然目前臺廠在 DRAM 與 NAND Flash 市場，市占率仍不高，不過，隨著各家存儲器廠自主研發(fā)的新制程技術陸續(xù)量產(chǎn)，與大廠間的技術差距也逐步縮小，而受惠 5G 商機推升產(chǎn)業(yè)需求揚升，今年存儲器將迎來好年，新制程技術的轉進也可望搭上這波景氣上升循環(huán)，趁勢起飛。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)