在當(dāng)前CES 2020舉行的當(dāng)下，包括AMD與英特爾兩家處理器大廠都將在會(huì)場中發(fā)表全新一代的處理器，雖然這些處理器預(yù)估還是會(huì)支援DDR4存儲(chǔ)器，但是面對(duì)傳輸量越來越大，必須擁有越來越快傳輸速度存儲(chǔ)器的當(dāng)下，下一代DDR5存儲(chǔ)器也已經(jīng)開始準(zhǔn)備量產(chǎn)。

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)于7日正式宣布，將開始向客戶出樣最新的DDR5存儲(chǔ)器，以第3代的10納米級(jí)1z納米制程來打造，其性能提升了85%。

報(bào)導(dǎo)指出，美光表示，相較DDR4存儲(chǔ)器，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。而其他的性能提升還包括電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、匯流排效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量等。

而美光現(xiàn)在出樣的DDR5存儲(chǔ)器是使用了最新的1z納米制程，大概是12到14納米節(jié)點(diǎn)之間，ECC DIMM規(guī)格，頻率DDR5-4800，比現(xiàn)在的DDR4-3200存儲(chǔ)器性能提升了87%左右。不過，與DDR5-6400的效能還有點(diǎn)距離，后期還有持續(xù)提升的空間。

對(duì)于新一代的DDR5存儲(chǔ)器來說，平臺(tái)的支援是最大的問題。因?yàn)槟壳斑€沒有正式支援DDR5存儲(chǔ)器的平臺(tái)，因此市場上要購買到內(nèi)建DDR5存儲(chǔ)器的產(chǎn)品則還要等上一段時(shí)間。

其中，AMD預(yù)計(jì)將會(huì)在2021年的Zen4架構(gòu)處理器上更換介面，開始支援DDR5存儲(chǔ)器。而英特爾在14納米及10納米制程的處理器上，目前都沒有明確規(guī)劃支援DDR5存儲(chǔ)器。根據(jù)英特爾官方路線圖顯示，預(yù)計(jì)要到2021年的7納米制程處理器Sapphire Rapids上才會(huì)開始支援DDR5，而且還是以服務(wù)器處理器為主，消費(fèi)級(jí)的處理器產(chǎn)品預(yù)計(jì)還要再晚一些時(shí)間。

另外，根據(jù)美光之前的說法，目前美光正在生產(chǎn)第2代10納米級(jí)1y納米制程技術(shù)的12Gb LPDDR4X以及16Gb DDR4存儲(chǔ)器。

在未來客戶針對(duì)DDR5存儲(chǔ)器試樣完成后，將會(huì)開始準(zhǔn)備1z納米的產(chǎn)線來開始生產(chǎn)。不過，對(duì)于1z納米產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)，美光現(xiàn)在尚未決定是否導(dǎo)入EUV極紫外光科設(shè)備來協(xié)助生產(chǎn)。目前，美光的競爭對(duì)手三星已經(jīng)在1z納米制程中導(dǎo)入EUV設(shè)備來協(xié)助生產(chǎn)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)

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