存儲器模組大廠威剛科技董事長陳立白7月28日表示，日韓貿(mào)易摩擦可能蔓延至第二波對半導(dǎo)體設(shè)備的管制，使得半導(dǎo)體供應(yīng)鏈短期問題難解，加上市場庫存降低，帶動存儲器價格反彈行情更為扎實，預(yù)計這波可延續(xù)漲到11月，公司也已備妥庫存因應(yīng)。

先前因東芝停電事件加上7月初，日本政府對韓國出口管制3項關(guān)鍵電子材料，帶動NAND Flash及DRAM兩大存儲器價格反彈。威剛科技董事長陳立白指出，日韓貿(mào)易摩擦帶動兩大存儲器現(xiàn)貨價格提前于6月底落底，自7月起至目前累積漲幅已約為20%，預(yù)期帶動此波存儲器價格由小反彈變成中期的反彈格局，有機(jī)會逐步反彈至11月，累積彈幅可望達(dá)3~4成。

整體而言，今年DRAM及NAND Flash的現(xiàn)貨價低點(diǎn)都已在6月出現(xiàn)，合約價也將于7月出現(xiàn)低點(diǎn)，8月將可望回升。

威剛科技董事長陳立白進(jìn)一步分析，日本政府繼本月初對韓國出口管制3項關(guān)鍵電子材料后，下一個對韓出口管制目標(biāo)可能是半導(dǎo)體的制造設(shè)備，同時，須關(guān)注下周8月2日，韓國恐遭日本政府自貿(mào)易白色名單上除名，使得半導(dǎo)體供應(yīng)鏈更為緊張。

另一方面，陳立白說，先前東芝停電事件沖擊比想像更為嚴(yán)重，東芝近來產(chǎn)線未能恢復(fù)正常，一直在消化庫存，使得NAND Flash本波漲勢更為強(qiáng)勁，累積已漲二成多；觀察DRAM在韓國的三星、海力士及美國的美光三大廠紛紛減產(chǎn)及延后擴(kuò)產(chǎn)后，目前庫存也已下降，現(xiàn)貨價漲近二成，預(yù)期合約價將逐步跟上漲勢。

威剛董事長陳立白認(rèn)為，此次日韓貿(mào)易摩擦對全球科技產(chǎn)業(yè)影響嚴(yán)重，公司已于7月在兩大存儲器價格反彈前搶先布局貨源，也呼吁客戶應(yīng)提前備妥庫存。

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