利基型存儲器廠華邦電14日召開股東會，總經(jīng)理詹東義表示，今年希望對主要客戶的滲透率持續(xù)成長，自行開發(fā)的20納米制程DRAM技術(shù)將于明年底到位，未來將在高雄新廠投產(chǎn)。

現(xiàn)階段全球具備自行開發(fā)DRAM制程技術(shù)者，僅有三星、SK海力士與美光。詹東義說，華邦電是全球第四家擁有DRAM技術(shù)的公司，專攻高品質(zhì)的中低容量產(chǎn)品，目前DRAM市占率僅0.7%，成長空間大。

華邦電董事長焦佑鈞指出，去年多項營運數(shù)字創(chuàng)新高，但今年以來市場需求放緩，但有AI及5G等新技術(shù)創(chuàng)造的新應(yīng)用需求，對未來市場長期需求看好。

焦佑鈞認(rèn)為，存儲器供不應(yīng)求時期已結(jié)束，今年是萎縮的一年，去年第4季到今年第1季的市況確實差，下半年應(yīng)會比上半年好。以稼動率來看，今年第1季低于80%，目前已回升到約85%水準(zhǔn)。

詹東義說，以出貨顆?？倲?shù)來計算，對華邦電來說，最壞的情況已過，雖然隨著市況，平均銷售單價仍下滑，但會持續(xù)穩(wěn)固市占率。

圖片聲明：封面圖片來源于正版圖片庫，拍信網(wǎng)。

如需獲取更多資訊，請關(guān)注全球半導(dǎo)體觀察官網(wǎng)（www.0318hs.cn）或搜索微信公眾賬號（全球半導(dǎo)體觀察）。