目前 64-Layer 3D TLC 已經(jīng)是主流 SSD 選配的存儲器顆粒，用 96-Layer 顆粒的 SSD 也開始上市。然而這當然并不是終點，業(yè)界已經(jīng)正在步向 128-Layer  的存儲器顆粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019，SK Hynix、長江存儲已經(jīng)宣布了相關的計劃，現(xiàn)在 Toshiba 與 Western Digital （WD）的 128-Layer 存儲器顆粒計劃也泄漏出來了。

有資料顯示，Toshiba 與 Western Digital 的128-Layer 3D NAND，其被命名為 BiCS 5 (96-Layer 3D NAND 為 BiCS 4)，將會使用 CuA 設計，與非 CuA 技術相比可把芯片尺寸縮小 15%。目前公布出來的 128-Layer 3D NAND 為 TLC 設計，存儲密度接近 96-Layer 3D QLC，若果采用 QLC 設計的話則更高。

BiCS 5 單 die 采用 4 Planes 設計，而與 2 Planes 設計相比寫入速度由 66 MB/s 提升到 132 MB/s，意味著 SSD 在 SLC Cache 用盡后 TLC 的原始寫入速度也不會太難看，不過具體寫入速度還需看主控的算法。

預計 Toshiba 與 Western Digital 將會在 2020 年末開始投產 128-Layer BiCS-5 存儲器，而要達到量產的話應該要到 2021 年。

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