由于NAND Flash價(jià)格去年大跌，導(dǎo)致三星、SK海力士、東芝及西數(shù)、美光及英特爾等四大陣營(yíng)在去年底減少晶圓產(chǎn)出，下修今年資本支出并推遲96層3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，的確讓第一季NAND Flash價(jià)格出現(xiàn)緩跌情況。不過(guò)，隨著上游原廠96層3D NAND新產(chǎn)能將在第二季后開(kāi)出，加上三星、美光、東芝等新廠在下半年量產(chǎn)，業(yè)界預(yù)估供給過(guò)剩及跌價(jià)壓力仍在。

去年上半年因?yàn)?4層及72層3D TLC NAND產(chǎn)能開(kāi)出，且單顆NAND Flash容量上看256Gb/512Gb，與2D NAND制程的單顆NAND Flash容量?jī)H128Gb/256Gb相較幾乎翻倍，也因此，去年NAND Flash價(jià)格一路走跌，去年底每GB價(jià)格跌破0.1美元并創(chuàng)下新低紀(jì)錄，NAND Flash廠也面臨營(yíng)業(yè)利益明顯縮水壓力。

為了減緩NAND Flash跌價(jià)走勢(shì)，包括三星、美光等上游原廠在去年底減少晶圓產(chǎn)出，并下修今年資本支出及推遲96層3D NAND新產(chǎn)能開(kāi)出速度。但因蘋(píng)果iPhone銷(xiāo)售不佳，智能型手機(jī)生產(chǎn)鏈進(jìn)入庫(kù)存調(diào)整，需求端明顯進(jìn)入衰退，讓上游原廠減少供給的意圖大打折扣，第一季NAND Flash價(jià)格續(xù)跌，只是跌幅略有縮小。

市場(chǎng)雖然預(yù)期智能型手機(jī)生產(chǎn)鏈第二季庫(kù)存去化完成后將重啟NAND Flash采購(gòu)，且供給端并無(wú)新產(chǎn)能開(kāi)出，價(jià)格應(yīng)可持穩(wěn)，但因各家NAND Flash上游原廠將在第二季開(kāi)出96層3D NAND新產(chǎn)能，且下半年后新廠也將加入量產(chǎn)，模組業(yè)者對(duì)NAND Flash價(jià)格看法仍然保守，預(yù)期跌價(jià)情況恐會(huì)持續(xù)到今年中。

據(jù)業(yè)界消息，各家NAND Flash原廠的新廠將在下半年后進(jìn)入量產(chǎn)階段，其中規(guī)模最大的是三星的西安廠第二期，第三季將量產(chǎn)512Gb容量96層3D NAND。美光Fab 10第三期預(yù)期會(huì)在今年第四季進(jìn)入量產(chǎn)，投產(chǎn)產(chǎn)品以512Gb容量96層3D NAND為主。至于東芝及西數(shù)合資的Fab7將在會(huì)下半年完工，明年第一季512Gb容量96層3D NAND會(huì)開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)階段。

集邦科技DRAMexchange指出，今年第一季NAND Flash市場(chǎng)均價(jià)季度跌幅可能達(dá)20%，第二季報(bào)價(jià)可能將續(xù)跌將近15%，下半年有旺季需求挹注，跌幅可望略微收斂。

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