隨著 5G 明年步入商轉(zhuǎn)，資料傳輸需求大增，可望顯著刺激存儲器景氣。雖然近期存儲器步入景氣向下循環(huán)，但歷經(jīng)調(diào)整后，5G、人工智能與邊緣運算等帶動科技新浪潮，將帶動 DRAM 與 NAND Flash 需求重回成長，南亞科、華邦電等臺廠都將因此受惠。

DRAM 近年來受惠資料中心持續(xù)建置，服務器存儲器出貨量大幅攀升，伴隨 5G 商轉(zhuǎn)產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)，將需要建置更多資料中心來容納。隨著資料中心需求持續(xù)推升，未來服務器 DRAM 可望成為成長力道最強勁的存儲器領域，研調(diào)甚至認為，未來 2 至 3 年內(nèi)，服務器存儲器將超越行動式存儲器，成為供需主流。

為迎接服務器市場未來的強勁成長動能，南亞科今年正式重返缺席逾 5 年的服務器 DRAM 市場，8Gb DDR4 服務器產(chǎn)品已獲美系資料中心大廠驗證通過，第 4 季小量出貨，并于明年放量，要全力搶攻服務器市場，盼明年底前服務器 DRAM 產(chǎn)品可占整體出貨比重超過 1 成。

除南亞科積極布局以因應相關需求外，華邦電也不缺席。華邦電總經(jīng)理詹東義認為，5G、人工智能與邊緣運算需求增加，將使更多產(chǎn)品智慧化，成為驅(qū)動產(chǎn)業(yè)的新成長動能，因此對未來市場需求并不悲觀，將持續(xù)耕耘質(zhì)量要求較高的金字塔頂端客戶。

而在 NAND Flash 方面，隨著 5G 帶動智慧家庭、自動駕駛等新興領域持續(xù)發(fā)展，擁有運算能力的終端產(chǎn)品數(shù)量將會明顯提升，可望帶動中低容量 NAND Flash 產(chǎn)品出貨量增加，后市需求動能同樣樂觀可期。

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