在全球DRAM內(nèi)存芯片市場上，SK Hynix目前的市場份額達(dá)到了29%，僅次于三星的45%，位列全球第二，領(lǐng)先于美光。在DRAM技術(shù)上，今年三星及美光都宣布了新一代1Ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，SK Hynix日前也宣布開發(fā)出1Ynm工藝的8Gb DDR4內(nèi)存，頻率3200Mbps，同時(shí)生產(chǎn)效率提升20%，功耗降低了15%。

8Gb DDR4-3200內(nèi)存顆粒本身并不新鮮，三星/SK Hynix/美光兩年前就有類似的產(chǎn)品了，不過這次的8Gb DDR4內(nèi)存芯片是1Ynm工藝，這是1Xnm工藝之后第二代10nm級DRAM工藝，三星、美光之前已經(jīng)宣布過類似的產(chǎn)品，現(xiàn)在是SK Hynix試產(chǎn)新工藝了。

在20nm節(jié)點(diǎn)之后，DRAM內(nèi)存工藝的線寬指標(biāo)不再那么精確，所以有了1Xnm、1Ynm及1Znm之分，簡單來說1Xnm工藝相當(dāng)于1Znm工藝大概是12-14nm級別，現(xiàn)在三星、美光及SK Hynix是進(jìn)行到了第二代10nm級工藝，不過三家量產(chǎn)的產(chǎn)品不同，三星、美光都是選擇LPDDR4X內(nèi)存首發(fā)1Ynm工藝，SK Hynix選擇的是1Ynm工藝的DDR4-3200內(nèi)存。

除了工藝升級，SK Hynix還表示他們的1Ynm工藝8Gb DDR4芯片在生產(chǎn)效率上提升了20%，性能也是目前最快的。此外，通過Sense Amp.Control技術(shù)，1Ynm工藝的DDR4芯片能耗降低了15%，

根據(jù)SK Hynix的規(guī)劃，1Ynm工藝的DDR4內(nèi)存預(yù)計(jì)會從明年Q1季度開始出貨，首先面向服務(wù)器及PC產(chǎn)品，接下來還會有針對移動設(shè)備等產(chǎn)品的1Ynm工藝內(nèi)存芯片。

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