近期,美光正式宣布,對(duì)IM Flash Technologies,LLC(簡(jiǎn)稱(chēng)“IM Flash”) 中的權(quán)益行使認(rèn)購(gòu)期權(quán)。IM Flash是美光與英特爾的合資公司,主推市場(chǎng)上的新型存儲(chǔ)芯片技術(shù)3D Xpoint。目前,英特爾已經(jīng)推出關(guān)于3D Xpoint存儲(chǔ)器的產(chǎn)品傲騰系列SSD,美光卻遲遲沒(méi)有產(chǎn)品正式推出。作為新一代存儲(chǔ)技術(shù)的代表,3D Xpoint的未來(lái)會(huì)因?yàn)槊拦馀c英特爾的分手受到影響嗎?
美光英特爾分道揚(yáng)鑣
美光科技官方表示,將從 2019 年 1 月 1 日起行使對(duì)合資公司IM Flash認(rèn)購(gòu)期權(quán)。這筆交易將在美光科技執(zhí)行認(rèn)購(gòu)期權(quán)后的 6~12個(gè)月之內(nèi)完成。美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra認(rèn)為,此次收購(gòu)代表著美光對(duì)于3D XPoint 技術(shù)全方位的肯定。“我們堅(jiān)信3D XPoint技術(shù)和其他新興存儲(chǔ)技術(shù)將為公司提供獨(dú)一無(wú)二的差異化優(yōu)勢(shì),并為海量數(shù)據(jù)需求的新型應(yīng)用提供不可或缺的重要解決方案。” Sanjay Mehrotra說(shuō)。
IM Flash 合資公司目前已并入美光科技的財(cái)務(wù)報(bào)表中。美光科技表示,該交易完結(jié)之時(shí),美光科技預(yù)計(jì)將支付約15億美元現(xiàn)金,解除英特爾在IM Flash的非控股權(quán)益以及英特爾對(duì)該合資企業(yè)的債務(wù)。截至2018年8月30日,這筆債務(wù)約為10億美元。
2018 年7月,美光科技和英特爾達(dá)成共識(shí),預(yù)計(jì)于 2019 財(cái)年下半年,在完成第二代節(jié)點(diǎn)結(jié)束3D XPoint 技術(shù)的聯(lián)合開(kāi)發(fā)工作之后,兩家公司將獨(dú)立推動(dòng)自己的未來(lái)技術(shù)路線圖。美光宣稱(chēng),將在這筆交易完成后的一年內(nèi)向英特爾出售 3D XPoint 內(nèi)存晶圓。但是在舊金山Micron Insight 2018大會(huì)上,美光所有高管對(duì)第二代3D Xpoint細(xì)節(jié)都守口如瓶,只預(yù)計(jì)于2019年年底會(huì)有產(chǎn)品樣本。
3D Xpoint何方神圣?
3D XPoint最初由英特爾和美光共同推出,期望這項(xiàng)新技術(shù)可以完成RAM的動(dòng)態(tài)速度,并且將成本控制在DRAM和NAND閃存之間,一方面可以在DRAM主存儲(chǔ)和NAND SSD之間提供新的存儲(chǔ)層,另一方面也可以提高計(jì)算機(jī)的性價(jià)比。
目前看來(lái),作為一種非易失性內(nèi)存,3D Xpoint與主流NAND Flash相比,讀寫(xiě)速度相差1000倍,并且使用壽命更長(zhǎng)。與易失性內(nèi)存DRAM相比,其制造成本少,因此被視為補(bǔ)足DRAM與NAND Flash差距的產(chǎn)品。
如此高的性能指數(shù)讓業(yè)內(nèi)傳出了一種聲音,“3D Xpoint將有機(jī)會(huì)替代NAND Flash”。到目前為止,3D Xpoint被英特爾包裝為“傲騰(Optane)”產(chǎn)品,并且在消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)市場(chǎng)擁有了一定聲量,英特爾承諾以DIMM格式發(fā)布3D XPoint內(nèi)存,但目前尚未公開(kāi)產(chǎn)品細(xì)節(jié)。不過(guò),英特爾透露,他們已經(jīng)在2018年8月的閃存峰會(huì)上向谷歌提供這些DIMM。美光也在Micron Insight 2018大會(huì)上表示,將于2019年末交付3D Xpoint產(chǎn)品給核心客戶測(cè)試,并于2020年量產(chǎn)。
兩大風(fēng)向標(biāo)公司的行為又要如何解讀?集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)分析師葉茂盛告訴記者,雖然3D XPoint的速度以及性價(jià)比方面均具備一定的優(yōu)勢(shì),但是3D XPoint并不能夠輕易地取代NAND閃存或DRAM。“3D XPoint和NAND Flash的應(yīng)用場(chǎng)域仍有差距。與DRAM相比,3D XPoint雖然可以滿足特定的條件,但是速度上仍遜于DRAM。”葉茂盛說(shuō)。
盡管3D XPoint可能會(huì)用于減少系統(tǒng)所需的DRAM數(shù)量以達(dá)到任何給定的性能水平,但是到目前為止,3D XPoint只能在PCIe非易失性存儲(chǔ)器快速(NVMe)接口中使用。記者了解到,雖然NVMe是SSD所有接口中,讀取速度最快的接口之一,但是,相對(duì)于3D XPoint內(nèi)存的固有速度相比,它速度仍然較慢。在分道揚(yáng)鑣之前,英特爾與美光公司曾共同宣稱(chēng),3D XPoint的速度是NAND閃存的1000倍,但經(jīng)過(guò)幾年市場(chǎng)的歷練,事實(shí)上,英特爾傲騰產(chǎn)品中固態(tài)硬盤(pán)的速度只有NAND閃存的六到八倍。
“平均單價(jià)差距太遠(yuǎn),NAND具有高度規(guī)模化以及單位容量便宜的優(yōu)勢(shì),這不是3D XPoint能夠在短期內(nèi)追逐到的”葉茂盛說(shuō)。
新型存儲(chǔ)技術(shù)處于發(fā)展初期
3D XPoint成為了下一代存儲(chǔ)技術(shù)中的代表,除此之外,相變存儲(chǔ)器(PCM)、鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)、磁阻RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM或 ReRAM)、自旋轉(zhuǎn)移力矩RAM(STT-RAM)、導(dǎo)電橋RAM(CBRAM)、氧化物電阻存儲(chǔ)器(OxRAM)等眾多新興存儲(chǔ)器技術(shù)或?qū)⒃谖磥?lái)的存儲(chǔ)器市場(chǎng)割據(jù)。諸多新興技術(shù)中,勢(shì)必有一些會(huì)離開(kāi)舞臺(tái),也會(huì)有一些經(jīng)過(guò)市場(chǎng)的檢驗(yàn),存留下來(lái)。
Rambus公司的杰出發(fā)明家和營(yíng)銷(xiāo)方案副總裁Steven Woo表示,在傳統(tǒng)的存儲(chǔ)市場(chǎng)中,經(jīng)典存儲(chǔ)架構(gòu)中依舊會(huì)有需要填補(bǔ)的空白。這就為新型存儲(chǔ)技術(shù)們提供了舞臺(tái)。但是在眾多的新型存儲(chǔ)技術(shù)中,可能會(huì)有一兩種生存下來(lái),但是更多的可能被淘汰。“可能是3D XPoint,英特爾和美光公司研發(fā)的PCM,或者ReRAM、MRAM,也可能是其他的存儲(chǔ)器。關(guān)鍵問(wèn)題是哪種會(huì)脫穎而出。但這主要由在給定性能參數(shù)范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)輸入輸出確定。” Steven Woo說(shuō)。
葉茂盛也表示,目前無(wú)法斷定哪種新型存儲(chǔ)器技術(shù)會(huì)存留下來(lái)。“盡管3D XPoint完全不同于很多新存儲(chǔ)技術(shù),但是與3D XPoint同臺(tái)競(jìng)技的新一代存儲(chǔ)技術(shù)很多,包括ReRAM、MRAM、FRAM等,不過(guò)由于以上技術(shù)都仍在早期發(fā)展階段,所以對(duì)于下一代存儲(chǔ)技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng),目前仍難以評(píng)斷技術(shù)的高下。”葉茂盛說(shuō)。
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