受惠于NAND Flash每GB價(jià)格下探0.1美元的甜蜜點(diǎn)，終端需求大爆發(fā)，三星、SK海力士、美光、東芝等均繼續(xù)積極擴(kuò)充NAND產(chǎn)線，此舉對(duì)以量取勝的封測大廠力成與華泰來說，是一大佳音。近兩年，2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND，處于克服良率的階段，產(chǎn)能自然減少，導(dǎo)致后段封測廠訂單不理想，但近期因3D NAND良率持續(xù)提升，市場供給量增加，雖導(dǎo)致NAND報(bào)價(jià)快速且長時(shí)間的下滑，但也因?yàn)閳?bào)價(jià)跌到市場可大量接受的甜蜜點(diǎn)，致使需求量快速拉升。

目前NAND最主要使用在手機(jī)與SSD領(lǐng)域，不單智能手機(jī)搭載容量提升到512GB，SSD主流容量也由256GB跳升至512GB，而后續(xù)市場更對(duì)NAND需求量抱持樂觀看法，在此趨勢下，所有國際NAND供應(yīng)商，三星、SK海力士、東芝、美光等均致力于擴(kuò)充新產(chǎn)能，隨前段晶圓產(chǎn)出將快速拉升，后續(xù)封測廠力成與華泰均被要求，后續(xù)得擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)，這無疑也提前宣告，力成與華泰明年后年?duì)I運(yùn)績效將大爆發(fā)。

包括，三星的平澤Fab 18廠現(xiàn)階段是96層3D NAND量產(chǎn)，并決定興建西安廠二期工程。東芝及西數(shù)(WD)的Fab 6目前跨入96層3D NAND量產(chǎn)，后續(xù)將會(huì)興建Fab 7興建計(jì)劃。SK海力士M15廠則是在今年第三季開始量產(chǎn)96層3D NAND。

美光Fab 10第三期開始試產(chǎn)，明年第一季量產(chǎn)96層3D NAND及3D XPoint，而美光結(jié)合英特爾的英特爾大連廠，二期工程下半年已開始量產(chǎn)96層3D NAND及3D XPoint。長江儲(chǔ)存明年下半年則量產(chǎn)64層3D NAND。

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