日本存儲器大廠東芝存儲器（Toshiba Memory Corporation）與西數(shù)（Western Digital）于19日宣布，共同在日本三重縣四日市的6號晶圓廠（Fab 6）舉行開幕儀式。該廠為新設(shè)先進(jìn)半導(dǎo)體制造廠區(qū)，并設(shè)有存儲器研發(fā)中心（Memory R&D Center）。

東芝存儲器是自2017年2月開始興建6號晶圓廠，為生產(chǎn)3D NAND Flash快閃存儲器的專用生產(chǎn)廠區(qū)。東芝存儲器與西數(shù)已針對沉積（deposition）與蝕刻（etching）等關(guān)鍵生產(chǎn)制程開始部署先進(jìn)制造設(shè)備，新廠已經(jīng)在9月初開始量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash。

有監(jiān)于3D NAND Flash在企業(yè)服務(wù)器、資料中心及智能手機(jī)的需求不斷成長，未來幾年這些需求將持續(xù)擴(kuò)大的情況下，為因應(yīng)此市場趨勢，未來可望進(jìn)一步投資擴(kuò)大產(chǎn)能。而且，與6號晶圓廠相毗鄰的存儲器研發(fā)中心，也已經(jīng)于2018年3月開始營運(yùn)，負(fù)責(zé)研發(fā)及推動3D NAND Flash的發(fā)展工作。

東芝存儲器進(jìn)一步指出，將與西數(shù)持續(xù)推動并擴(kuò)展雙方在存儲器事業(yè)的市場領(lǐng)導(dǎo)地位，積極開發(fā)各項計劃以強(qiáng)化競爭力，推動3D NAND Flash的共同開發(fā)，并根據(jù)市場趨勢規(guī)劃資本的投入。

對此，東芝存儲器社長暨執(zhí)行長成毛康雄（Yasuo Naruke）表示，東芝存儲器很高興有這個機(jī)會能為新一代的3D NAND Flash開拓更廣闊的市場。而6號晶圓廠和存儲器研發(fā)中心能讓東芝存儲器在3D NAND Flash市場中維持領(lǐng)先地位，而且相信與西數(shù)的合資事業(yè)，將能協(xié)助四日市的工廠繼續(xù)生產(chǎn)市場上最先進(jìn)的存儲器。

西數(shù)的執(zhí)行長Steve Milligan也同時指出，很榮幸能與西數(shù)的重要合作伙伴──東芝存儲器一起為6號晶圓廠和存儲器研發(fā)中心揭開序幕。

近20年來，兩家公司合作無間，帶動了NAND Flash技術(shù)的成長和創(chuàng)新。此外，目前也正積極提升96層3D NAND Flash的產(chǎn)能，以因應(yīng)從消費(fèi)性、移動應(yīng)用到云端資料中心等終端市場的各式商機(jī)，且6號晶圓廠具備先進(jìn)技術(shù)設(shè)備，將進(jìn)一步提升東芝存儲與西數(shù)在業(yè)界技術(shù)領(lǐng)先和成本領(lǐng)導(dǎo)的地位。

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