近日，紫光存儲(chǔ)攜8個(gè)系列的存儲(chǔ)產(chǎn)品首次亮相2018年閃存峰會(huì)，向全球閃存界展示了一個(gè)全新的存儲(chǔ)公司及產(chǎn)品。

在本次FMS（Flash Memory Summit  閃存峰會(huì)）峰會(huì)上，紫光存儲(chǔ)向全球發(fā)布了企業(yè)級(jí)NVMe產(chǎn)品P8160、P8130、企業(yè)級(jí)SATA SSD產(chǎn)品S6110、消費(fèi)類NVMe SSD產(chǎn)品P5120、渠道SATA SSD產(chǎn)品S100、渠道NVMe SSD產(chǎn)品P100、嵌入式產(chǎn)品eMMC、UFS全系產(chǎn)品。全系產(chǎn)品中P8160為高性能低延時(shí)產(chǎn)品，面向高端企業(yè)級(jí)客戶；P8130為低功耗產(chǎn)品，面向于存儲(chǔ)系統(tǒng)客戶；S6110主要面向有低成本系統(tǒng)升級(jí)需求的企業(yè)級(jí)客戶；P5120為消費(fèi)類產(chǎn)品，主要滿足筆記本等OEM廠商的應(yīng)用需求；S100，P100為渠道產(chǎn)品，主要針對(duì)個(gè)人消費(fèi)者。嵌入式產(chǎn)品eMMC， UFS應(yīng)用于手機(jī)、平板等產(chǎn)品當(dāng)中。

在本次展會(huì)中，紫光存儲(chǔ)先后參加了三場(chǎng)技術(shù)交流，充分向國(guó)際專家、客戶與合作伙伴展現(xiàn)了紫光存儲(chǔ)在過(guò)去一段時(shí)間內(nèi)，在閃存領(lǐng)域的研發(fā)成果。

在ChinaSession上，紫光存儲(chǔ)做了關(guān)于《NAND結(jié)構(gòu)對(duì)控制器架構(gòu)的影響》的技術(shù)交流。主要介紹了NAND cell的信道模型特性，以及由此引入噪聲補(bǔ)償降低cell電壓判決的錯(cuò)誤率。根據(jù)當(dāng)前NAND不同的PE count，對(duì)應(yīng)地選取不同的page存儲(chǔ)有效數(shù)據(jù)，從而延長(zhǎng)NAND的使用壽命。這些從NAND本身的特性引入的使用方式對(duì)控制器的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了相應(yīng)的影響。

在NVMe Session上，紫光存儲(chǔ)做了關(guān)于《多盤聚合擴(kuò)展NVMe性能》的演講，詳細(xì)描述了MDF控制器在RAID 5使用上帶來(lái)的好處。

在FlashControllerSession上，紫光存儲(chǔ)做了關(guān)于《可編程Flash仿真系統(tǒng)》的演講，描述了紫光DERA自主設(shè)計(jì)的可編程的仿真系統(tǒng)，該系統(tǒng)用于控制器功能驗(yàn)證及分析，大大簡(jiǎn)化了驗(yàn)證的難度。

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