作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。

圖片來源：長江存儲官網(wǎng)

采用XtackingTM，可在一片晶圓上獨立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)輸入輸出及記憶單元操作的外圍電路。這樣的邏輯電路加工工藝，可以讓NAND獲取所期望的高I/O接口速度和功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的XtackingTM技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

閃存和固態(tài)硬盤領(lǐng)域的知名市場研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認(rèn)為：“隨著3D NAND更新?lián)Q代，在單顆NAND芯片存儲容量大幅提升后，要維持或提升相同容量SSD的性能將會越來越困難。若要推動SSD性能繼續(xù)提升，更快的NAND輸入輸出速度及多plane并行操作功能將是必須的。”

長江存儲CEO楊士寧博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND輸入輸出速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技術(shù)我們有望大幅提升NAND 輸入輸出速度到3.0Gpbs，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這對NAND行業(yè)來講將是顛覆性的。”

傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。XtackingTM技術(shù)將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。

XtackingTM技術(shù)充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優(yōu)勢，實現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計及制造，產(chǎn)品開發(fā)時間可縮短三個月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。

長江存儲已成功將Xtacking TM技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)。該產(chǎn)品預(yù)計于2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段。通過與客戶、行業(yè)合作伙伴和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu)的合作，Xtacking TM技術(shù)將應(yīng)用于智能手機、個人計算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域，并將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

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