2016年底開(kāi)始，價(jià)值1210億美元的全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)前所未有的榮景，隨著制程提升，存儲(chǔ)器利潤(rùn)飆升至70%以上。但《路透》分析，隨著技術(shù)更新、中國(guó)大陸廠商加入，未來(lái)NAND快閃存儲(chǔ)器、DRAM榮景將走入尾聲。

報(bào)導(dǎo)指出，業(yè)界技術(shù)更新轉(zhuǎn)向3D NAND快閃存儲(chǔ)器，組裝成本降低，使今年產(chǎn)量成長(zhǎng)速度超過(guò)需求，規(guī)模芯片商被迫降價(jià)以維持市占率。當(dāng)前，NAND快閃存儲(chǔ)器價(jià)格與2017年的高峰相比近乎腰斬。

根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange分析師Alan Chen表示，當(dāng)前價(jià)格下降速度遠(yuǎn)快于成本下降速度，并預(yù)測(cè)今年NAND快閃存儲(chǔ)器價(jià)格將持續(xù)走跌。

野村投信則估計(jì)今年NAND快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)量將成長(zhǎng)40～50%，但在全球智能手機(jī)需求放緩下，價(jià)格將下跌20%。

另一項(xiàng)存儲(chǔ)器產(chǎn)品DRAM，雖然在電競(jìng)筆電、挖礦需求下，今年價(jià)格成長(zhǎng)20%，但未來(lái)幾年將面臨中國(guó)廠商競(jìng)爭(zhēng)，也讓DRAM市場(chǎng)前臺(tái)蒙上一層陰影。

日前中國(guó)反壟斷監(jiān)管部門(mén)，針對(duì)DRAM三大廠商，三星、SK海力士、美光發(fā)起反壟斷調(diào)查；此外，半導(dǎo)體作為重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目，未來(lái)中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、Innotron Memory、福建晉華將大規(guī)模生產(chǎn)存儲(chǔ)器。

南韓研調(diào)機(jī)構(gòu)HI Investment＆Securities分析師Song Myung-sup指出，當(dāng)前中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)量不多，但明年下半年起隨著產(chǎn)能提升，將沖擊全球半導(dǎo)體市場(chǎng)。

不過(guò)，也有分析師認(rèn)為，未來(lái)隨著5G、高速運(yùn)算、自駕車(chē)技術(shù)發(fā)展，將持續(xù)提振存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求。法巴銀行分析師Peter Yu認(rèn)為，盡管成長(zhǎng)動(dòng)能消失，但2019年存儲(chǔ)器市場(chǎng)仍可維持900億美元的凈利水平，不至于嚴(yán)重崩盤(pán)。

近期SK海力士、三星、日商?hào)|芝將分別在7/26、7/31、8/8公布財(cái)報(bào)。當(dāng)前市場(chǎng)預(yù)期三星Q2芯片部門(mén)利潤(rùn)將成長(zhǎng)50%，達(dá)12.5兆韓元、SK海力士預(yù)期也將成長(zhǎng)74%，達(dá)5.4兆韓元。

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