更大容量、更高效能一直是固態(tài)硬盤(SSD)產(chǎn)品發(fā)展的主要方向，而為了迎合此一目標(biāo)，大多數(shù)NAND Flash廠都計(jì)劃在2018年下半推出采用QLC架構(gòu)的64層3D NAND Flash，并預(yù)計(jì)在2019年將其應(yīng)用在96層產(chǎn)品上。SSD控制器廠商也緊跟這個(gè)趨勢，推出支援QLC的新一代產(chǎn)品。

為實(shí)現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，中國臺灣兩大SSD控制器業(yè)者群聯(lián)和慧榮，皆已備妥對應(yīng)的解決方案。

群聯(lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。而為了進(jìn)一步提升儲存密度，NAND Flash供應(yīng)商正在努力往96層QLC發(fā)展，屆時(shí)單一顆粒的儲存容量將可達(dá)1TB。其實(shí)，目前已經(jīng)有業(yè)者發(fā)表采用QLC架構(gòu)的64層3D NAND Flash，但技術(shù)驗(yàn)證的意味濃厚，預(yù)計(jì)要等到2019年推出的96層3D NAND Flash，才會(huì)開始大量采用QLC。

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