繼2017年DRAM、NAND Flash雙雙呈現(xiàn)價(jià)量齊揚(yáng)，推升全球半導(dǎo)體銷售額強(qiáng)勁成長(zhǎng)，并首度超越4,000億美元大關(guān)之后，2018年DRAM、NAND Flash價(jià)格則呈現(xiàn)兩樣情，出現(xiàn)一漲一跌的局面，其中的關(guān)鍵則是供給端的部分，特別是國(guó)際大廠是否突破制程瓶頸，將攸關(guān)整體市場(chǎng)的供需結(jié)構(gòu)。

首先在DRAM市場(chǎng)方面，2018年Samsung將DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為影像傳感器產(chǎn)線，使DRAM投片量減少，不過減少的部分將由華城16產(chǎn)線與平澤1廠二樓的增設(shè)投資彌補(bǔ)，但整體而言，2018年Samsung的新增DRAM產(chǎn)能仍是有限，加上SK Hynix的新廠產(chǎn)能恐須待2019年才可望量產(chǎn)，甚至來自于中國(guó)DRAM產(chǎn)能的開出，仍有相當(dāng)?shù)囊蓱]，因而2018年全球DRAM供給端的增加依舊在可控制的范圍內(nèi)。而2018年全球DRAM需求端除手機(jī)配備持續(xù)提高之外，資料中心布建需求亦是推動(dòng)來源，更重要的是，雖然中國(guó)對(duì)于挖礦熱提出重罰，不過比特大陸將推出以太礦機(jī)，一個(gè)特殊應(yīng)用集成電路芯片就需搭載172顆1 GB的DDR3晶粒，藉以提升運(yùn)算效能來看，仍有利于2018年全球DRAM的需求表現(xiàn)。

總而言之，由于2018年底前國(guó)際三大DRAM廠新產(chǎn)能開出極為有限，僅靠制程微縮增加的部分，因此2018年以來全球DRAM價(jià)格仍延續(xù)2016年下半年以來上揚(yáng)的走勢(shì)，不管是首季或是第二季，DRAM價(jià)格季增率均達(dá)到5~10%，顯然DRAM市況優(yōu)于年初預(yù)期。

另外2018年DRAM市場(chǎng)值得留意的尚有中國(guó)發(fā)展的態(tài)勢(shì)，盡管中國(guó)在無技術(shù)授權(quán)來源、存儲(chǔ)器人才短缺之下，2018年底~2019年中國(guó)要進(jìn)入存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化的量產(chǎn)恐有疑慮；不過為此，中國(guó)官方也頻頻出招，即中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)已經(jīng)盯上Samsung、SK Hynix與Micron等三家DRAM大廠，甚至傳出恐面臨8億~80億美元的罰款，表面上雖是在解決中國(guó)終端應(yīng)用廠商面臨存儲(chǔ)器飆漲的窘境，但實(shí)際上恐是預(yù)留未來中國(guó)存儲(chǔ)器廠爭(zhēng)取談判的籌碼；事實(shí)上，因先前中國(guó)智能手機(jī)企業(yè)飽受存儲(chǔ)器產(chǎn)品短缺的困惱，且存儲(chǔ)器對(duì)國(guó)家信息安全的重要性高，更何況存儲(chǔ)器為中國(guó)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體自給率提升的重要關(guān)鍵產(chǎn)品，特別是受到中興通訊事件的影響，更加激起中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體核心產(chǎn)品的動(dòng)能，故中長(zhǎng)期來說，中國(guó)勢(shì)必會(huì)竭盡所能積極發(fā)展存儲(chǔ)器，此決心仍不容忽視。

其次在NAND Flahs市場(chǎng)方面，盡管受惠于智能手機(jī)搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng)，以及SSD滲透率提高，拉抬對(duì)于NAND Flash的需求，但2018年以來全球NAND Flash市場(chǎng)已呈現(xiàn)供過于求的局面，主要是國(guó)際大廠加速更高層堆疊及四階儲(chǔ)存單元（QLC）產(chǎn)品開發(fā)，以求提升3D NAND儲(chǔ)存密度及降低生產(chǎn)成本，故以32G（4G*8）MLC（美元/個(gè)）收盤價(jià)而言，則由2017年8月的3.10美元/個(gè)降至2018年5月的2.74美元/個(gè)，甚至2018年第三季全球NAND價(jià)格恐難以反轉(zhuǎn)向上，主要系因更多64層和72層3D NAND產(chǎn)能相繼釋出，甚至單顆容量更大、成本更具競(jìng)爭(zhēng)力的3D-QLC Flash技術(shù)，預(yù)計(jì)最快2018年下半邁入量產(chǎn)所致。

值得一提的是，Toshiba存儲(chǔ)器標(biāo)售案已于2018年5月中旬獲得中國(guó)核準(zhǔn)，整體交易案確定于2018年6月1日完成，也意謂Bain Capital、SK Hynix、日本政策投資銀行（DBJ）及日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)（INCJ）等將陸續(xù)入主，美日韓聯(lián)盟儼然成立，但復(fù)雜的股權(quán)交易與多頭馬車式資本組成，是否能有效提升Toshiba存儲(chǔ)器在全球NAND Flash的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，以及未來Toshiba存儲(chǔ)器如何與WD繼續(xù)合作，運(yùn)用此結(jié)盟關(guān)系，將有待后續(xù)觀察。

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