近日有報告表示NAND快閃存儲器Q1的價格與前期相比下降，推動了大型存放區(qū)的智能手機、SSD硬盤普及，這主要歸功于NAND廠商大規(guī)模量產64層3D快閃存儲器。

未來要想進一步提升NAND容量，堆疊層數顯然還會進一步提升，東芝、西數去年發(fā)布了96層堆疊的3D快閃存儲器，昨日西數宣布BiCS4技術的96層3D快閃存儲器已經開始出貨給客戶，X4技術的QLC快閃存儲器未來也將是重點。

西數收購閃迪之后已經變成全球領先的NAND供應商，技術上他們跟東芝是一派的，主要使用BiCS技術，已經推出了四代BiCS技術，目前的主力是BiCS3，量產的NAND快閃存儲器堆疊層數是64層，去年展示過96層堆疊的BiCS4快閃存儲器，這將是西數、東芝下一代主力。

西數昨天宣布正在出貨BiCS4技術的96層3D快閃存儲器給客戶，不過耐人尋味的是這些客戶主要是USB、記憶卡等，沒提到桌面或者企業(yè)級市場。從西數 CEO的表態(tài)來看，BiCS4技術目前還不夠成熟，所以說現在用于SSD等市場還有點早，這是先拿USB等市場試試水溫。

根據西數的表態(tài)，96層堆疊的3D快閃存儲器核心容量最初是256Gb，相比目前沒多少優(yōu)勢，不過最終可能會達到1Tb核心容量，也就是128GB，封裝幾顆NAND核心的話就可以輕松制造出TB級硬盤。

只不過到時候的主力就是X4技術的QLC快閃存儲器了，目前MLC、TLC快閃存儲器還是主流，但是從美光、Intel開始出貨QLC快閃存儲器硬盤開始，QLC在2018年將會越來越多，畢竟大容量的優(yōu)勢讓廠商欲罷不能，消費者要想購買到廉價的TB級硬盤，QLC快閃存儲器也不可避免。

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